微電子文章進入微電子技術(shù)社區(qū)

微電子工藝專有名詞（4）

151 RESOLUTION 解析力 1. 定義：解析力在IC制程的對準及印刷（Align & Print）過程中站著相當重要的地位，尤其演進到VLSI后，解析力的要求就更高了。它是對光學系統(tǒng)（如對準機、顯微鏡、望遠鏡等）好壞的評估標準之一，現(xiàn)今多以法國人雷萊（Rayleigh）所制定的標準遵循之。物面上兩光點經(jīng)光學系統(tǒng)頭于成像面上不會模糊到只被看成一點時，物面上兩點間之最短距離。若此距離越小，則解析力越大。（通常鏡面大者，即NA大者，其解析力也越大）解析力不佳時，例如對準機對焦不清時，就會造成C
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微電子工藝專有名詞（1）

1 Active Area 主動區(qū)（工作區(qū)）主動晶體管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的區(qū)域即所謂的主動區(qū)（ACTIVE AREA）。在標準之MOS制造過程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場區(qū)氧化所形成的，而由于利用到局部場氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會受到鳥嘴（BIRD’S BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來的小，以長0.6UM之場區(qū)氧化而言，大概會有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是說ACTIVE AREA比原在之
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微電子工藝專有名詞（2）

51 DRAM , SRAM 動態(tài),靜態(tài)隨機存取內(nèi)存隨機存取記憶器可分動態(tài)及靜態(tài)兩種，主要之差異在于動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM），在一段時間（一般是0.5ms～5ms）后，資料會消失，故必須在資料未消失前讀取元資料再重寫（refresh），此為其最大缺點，此外速度較慢也是其缺點，而DRAM之最大好處為，其每一記憶單元（bit）指需一個Transistor（晶體管）加一個Capacitor（電容器），故最省面積，而有最高之密度。而SRAM則有不需重寫、速度快之優(yōu)點，但是密度低，每一記憶單元（bit）有兩類
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福華先進微電子推出保護嵌入式軟件之系列芯片F(xiàn)S88x6

　　目前，有許多嵌入式系統(tǒng)中加入由專用芯片構(gòu)成的軟件保護模塊，這類芯片多為第三代EEPROM存儲型產(chǎn)品，缺點是在端口進行數(shù)據(jù)分析就容易被破解。所以為適應(yīng)市場的需求，福華先進微電子（上海）有限公司推出了一款嵌入式系統(tǒng)軟件的安全保護方案——嵌入式軟件安全衛(wèi)士，其所用芯片F(xiàn)S88x6具有應(yīng)用面廣、功耗小、安全性高等特點，潛在市場巨大。　　此芯片是針對當前市場上, 軟件被竄改盜用的事件層出不窮情況而研發(fā)的，并已成功運用在立體聲藍牙方案、IP網(wǎng)絡(luò)照相機、機頂盒、媒體播放器、DVR/PVR硬
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微電子學專業(yè)

業(yè)務(wù)培養(yǎng)目標：　　業(yè)務(wù)培養(yǎng)目標：本專業(yè)培養(yǎng)掌握微電子學專業(yè)所必需的基礎(chǔ)知識、基本理論和基本實驗技能，能在微電子學及相關(guān)領(lǐng)域從事科研、教學、科技開發(fā)、工程技術(shù)、生產(chǎn)管理與行政管理等工作的高級專門人才。　　業(yè)務(wù)培養(yǎng)要求：本專業(yè)學生主要學習微電子學的基本理論和基本知識，受到科學實驗與科學思維的基本訓練，具有良好科學素養(yǎng)，掌握大規(guī)模集成電路及新型半導體器件的設(shè)計、制造及測試所必需的基本理論和方法，具有電路分析、工藝分析、器件性能分析和版圖設(shè)計等的基本能力。　　畢業(yè)生應(yīng)獲得以下幾方面的知識和能力：
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奧地利微電子監(jiān)測IC具手動重啟功能

　奧地利微電子公司(austriamicrosystems)日前推出帶手動重啟和監(jiān)視功能的雙電壓微處理器監(jiān)測電路AS1910-15系列。該系列IC適用于手持式、電池驅(qū)動設(shè)備和所有雙電壓供電應(yīng)用，其功耗僅5.8μA(典型情況下)，可用于-40℃到+125℃之間的溫度范圍。　　AS1913、AS1914和AS1915根據(jù)其出廠設(shè)定的極限值，能監(jiān)控1.8V到3.6V之間的初級電壓，以及0.9V到2.5V之間的次級電壓。對于AS1910、AS1911和AS1912，用戶可以通過一個外置的電阻分壓器將次級監(jiān)控電壓
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奧地利微電子監(jiān)測IC具手動重啟功能

　奧地利微電子公司(austriamicrosystems)日前推出帶手動重啟和監(jiān)視功能的雙電壓微處理器監(jiān)測電路AS1910-15系列。該系列IC適用于手持式、電池驅(qū)動設(shè)備和所有雙電壓供電應(yīng)用，其功耗僅5.8μA(典型情況下)，可用于-40℃到+125℃之間的溫度范圍。　　AS1913、AS1914和AS1915根據(jù)其出廠設(shè)定的極限值，能監(jiān)控1.8V到3.6V之間的初級電壓，以及0.9V到2.5V之間的次級電壓。對于AS1910、AS1911和AS1912，用戶可以通過一個外置的電阻分壓器將次級監(jiān)控電壓
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火馬微電子推出EVD芯片支持中國標準

　HM9001是火馬微電子(HOMAA)公司專為中國市場推出的新一代高密度數(shù)字激光視盤系統(tǒng)(EVD)開發(fā)設(shè)計的核心解碼芯片。EVD作為家電產(chǎn)品和計算機技術(shù)相結(jié)合的產(chǎn)物，既可以播放高清晰度(1920
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南京將投28億美元　打造微電子的航母基地

　　該產(chǎn)業(yè)園將通過政府支持、基地化運作的方式，集中建立2到3個半導體封裝測試企業(yè)，3到4個6英寸和8英寸的芯片廠，1到2個12英寸芯片廠上述項目總投資將達28億美元，全部投產(chǎn)后產(chǎn)值將達50億美元?？偛邉澣笋R啟元表示，兩到三年，南京微電子產(chǎn)業(yè)園將有望成為全國芯片產(chǎn)業(yè)的“航母基地”。　　素以“江寧織造”聞名天下的南京，正開始走上“江寧創(chuàng)造”的歷程。　　6月19日，美國時代創(chuàng)新投資管理公司與南京江寧開發(fā)區(qū)簽訂了《在江寧開發(fā)區(qū)建立國家級微電子產(chǎn)業(yè)基地的框架協(xié)議》。協(xié)議主題是，由前者引導國際、民間資本于2006
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天津微電子工業(yè)區(qū) 每平方公里創(chuàng)值300億元

天津開發(fā)區(qū)微電子工業(yè)區(qū)一期1平方公里于2000年開發(fā)完畢，2003年企業(yè)全部達產(chǎn)，2004年實現(xiàn)工業(yè)總產(chǎn)值315億元，出口19億美元，稅收7.13億元。這樣，在一期1平方公里土地上，園區(qū)創(chuàng)造出了300億元工業(yè)總產(chǎn)值的驕人業(yè)績，園區(qū)人均 GDP 已超過4萬美元，成為天津乃至中國北方最具生機和活力的經(jīng)濟區(qū)域。該園區(qū)二期1.32平方公里于2002年開始投入建設(shè)，目前基本轉(zhuǎn)讓完畢，截至
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1976年11月，中科院計算所研制成功1000萬次大型電子計算機

　　1976年11月，中國科學院計算所研制成功1000萬次大型電子計算機，所使用的電路為中國科學院109廠(現(xiàn)中科院微電子中心)研制的ECL型(發(fā)射極耦合邏輯)電路。
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微電子介紹

微電子技術(shù)是隨著集成電路，尤其是超大型規(guī)模集成電路而發(fā)展起來的一門新的技術(shù)。微電子技術(shù)包括系統(tǒng)電路設(shè)計、器件物理、工藝技術(shù)、材料制備、自動測試以及封裝、組裝等一系列專門的技術(shù)，微電子技術(shù)是微電子學中的各項工藝技術(shù)的總和。微電子技術(shù)是在電子電路和系統(tǒng)的超小型化和微型化過程中逐漸形成和發(fā)展起來的，第二次大戰(zhàn)中、后期，由于軍事需要對電子設(shè)備提出了不少具有根本意義的設(shè)想，并研究出一些有用的技術(shù)。1947年 [ 查看詳細 ]