憶阻器單元 文章 進(jìn)入憶阻器單元技術(shù)社區(qū)

[未來(lái)可測(cè)]系列之二:憶阻器單元基礎(chǔ)研究和性能研究測(cè)試方案

• _____憶阻器英文名為memristor, 用符號(hào)M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無(wú)源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時(shí)具備電阻和存儲(chǔ)的性能，是一種新一代高速存儲(chǔ)單元，通常稱(chēng)為阻變存儲(chǔ)器（RRAM）。憶阻器備受關(guān)注的重要應(yīng)用領(lǐng)域包括：非易失存儲(chǔ)（Nonvolatile memory），邏輯運(yùn)算（Logic computing），以及類(lèi)腦神經(jīng)形態(tài)計(jì)算（Brain-inspired neuromorphic computing）等。這三種截然不同又相互關(guān)聯(lián)的技術(shù)路線，為發(fā)展信息
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