快閃存儲(chǔ)器文章進(jìn)入快閃存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

IBM擘劃快閃存儲(chǔ)器開發(fā)藍(lán)圖

IBM預(yù)計(jì)將在明年利用新創(chuàng)公司Diablo Technologies的技術(shù)，為伺服器雙列直插式記憶體模組(DIMM)插槽加入 NAND 快閃記憶體(flash)。該公司并計(jì)劃在 DIMM 埠中采
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快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存陣列市場(chǎng)滲透率成長強(qiáng)勁

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IDC最近發(fā)布的一份報(bào)告指出，快閃記憶體儲(chǔ)存陣列的市場(chǎng)滲透率正在快速成長;該份報(bào)告顯示，包括全快閃記憶體陣列(all-flash arrays，AFA)以及混合快閃記憶體陣列(hybrid flash arrays，HFA)在內(nèi)的全球快閃記憶體陣列市場(chǎng)規(guī)模，在2014年可達(dá)113億美元。　　IDC的報(bào)告指出，快閃記憶體陣列市場(chǎng)的成長動(dòng)力，來自于越來越多廠商提供針對(duì)不同應(yīng)用、支援越來越高復(fù)雜度工作任務(wù)的多樣化產(chǎn)品;“該市場(chǎng)的成長速度高過于我們預(yù)期，” IDC分析師
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10月快閃存儲(chǔ)器NAND供過于求合約價(jià)看漲

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期，第4季儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價(jià)看漲。　　集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災(zāi)意外，不僅帶動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)價(jià)格飆漲，同時(shí)激勵(lì)9月NANDFlash合約價(jià)上漲3%至6%。　　集邦科技指出，盡管NANDFlash市場(chǎng)銷售并無好轉(zhuǎn)跡象，不過，海力士無錫廠復(fù)工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預(yù)期第4季NANDFlash市場(chǎng)供過于求情況可望趨緩。　　集邦預(yù)期，近期1至2個(gè)月
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全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù)

　　全球晶圓(Global Foundries)除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外，同時(shí)也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù)，進(jìn)一步強(qiáng)化合作關(guān)系。　　全球晶圓與ARM在2009年第3季宣布策略合作計(jì)畫，就是看好未來廣大的行動(dòng)運(yùn)算市場(chǎng)。而就在全球晶圓與ARM攜手后，臺(tái)積電也于2010年宣布與ARM，合作開發(fā)28納米及20納米制程嵌入式存儲(chǔ)器及標(biāo)準(zhǔn)元件庫在內(nèi)的實(shí)體智財(cái)產(chǎn)品。　　因
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快閃存儲(chǔ)器介紹

　　快閃存儲(chǔ)器　　目錄　　1概述　　2限制　　1概述　　快閃存儲(chǔ)器（flash EPROM）是電子可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(electrically erasable programmable read-only memory, EEPROM)的一種形式?？扉W存儲(chǔ)器允許在操作中多次擦或?qū)懀⒕哂蟹且资?，即單指保存?shù)據(jù)而言，它并不需要耗電?？扉W存儲(chǔ)器和傳統(tǒng)的EEPROM不同在于它 [ 查看詳細(xì) ]

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