抗短路穩(wěn)健性 文章 進入抗短路穩(wěn)健性技術社區(qū)

Transphorm氮化鎵器件率先達到對電機驅動應用至關重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑

• 新世代電力系統(tǒng)的未來，氮化鎵（GaN）功率半導體產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.近日宣布，利用該公司的一項專利技術，在氮化鎵功率晶體管上實現了長達5微秒的短路耐受時間（SCWT）。這是同類產品有記錄以來首次達到的成就，也是整個行業(yè)的一個重要里程碑，證明?Transphorm 的氮化鎵器件能夠滿足伺服電機、工業(yè)電機和汽車動力傳動系統(tǒng)等傳統(tǒng)上由硅?IGBT 或碳化硅（SiC）MOSFET 提供支持的堅固型功率逆變器所需的抗短路能力 --- 氮化鎵在這類應用領域未來五年的
• 關鍵字： Transphorm  氮化鎵器件  電機驅動  抗短路穩(wěn)健性