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美光新內(nèi)存模塊 開始送樣

  • 美光18日宣布，該公司多重存取雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）開始送樣，針對內(nèi)存需求高達每DIMM 插槽128GB以上的應用，其效能更勝目前的硅晶穿孔型（TSV）RDIMM。光第一代MRDIMM，與IntelR XeonR 6處理器兼容。美光MRDIMM現(xiàn)已上市，將于2024年下半年開始大量出貨。 美光指出，開始送樣的內(nèi)存是美光MRDIMM系列的第一代產(chǎn)品，實現(xiàn)最高帶寬、最大容量、最低延遲，以及更高的每瓦效能，加速內(nèi)存密集型如虛擬化多租戶、HPC和AI數(shù)據(jù)中心等的工作負載。美光副總裁暨運算產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)
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新內(nèi)存模塊介紹

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