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英特爾展示下一代晶體管微縮技術(shù)突破 將用于未來制程節(jié)點(diǎn)

• 2023年12月9日，英特爾在IEDM 2023（2023 IEEE 國際電子器件會議）上展示了多項(xiàng)技術(shù)突破，為其未來的制程路線圖提供了豐富的創(chuàng)新技術(shù)儲備，充分說明了摩爾定律仍在不斷演進(jìn)。具體而言，英特爾研究人員在大會上展示了結(jié)合背面供電和直接背面觸點(diǎn)（direct backside contacts）的3D堆疊CMOS晶體管，分享了近期背面供電研發(fā)突破的擴(kuò)展路徑（如背面觸點(diǎn)），并率先在同一塊300毫米晶圓上，而非封裝中，成功實(shí)現(xiàn)了硅晶體管與氮化鎵（GaN）晶體管的大規(guī)模單片3D集成。 英特爾公
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