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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 晶圓級

Nexperia發(fā)布具備市場領(lǐng)先效率的晶圓級12和30V MOSFET

  • 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關(guān)
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史密斯英特康推出晶圓級封裝測試頭Volta 200 系列

  • 便攜式及手持智能電子設備的小型化對芯片功能集成的要求日益復雜,芯片的微型化及引腳間距越來越小給產(chǎn)品的最終測試帶來了技術(shù)挑戰(zhàn)和成本壓力,也讓越來越多的客戶采用晶圓級封裝測試和晶圓級芯片封裝測試的方案。史密斯英特康推出的Volta系列測試頭適用于200μm間距及以上晶圓級封裝測試,為高可靠性WLP(晶圓級封裝)、WLCSP(晶圓級芯片封裝)和KGD(已確認的好的裸片)測試提供更多優(yōu)勢,可滿足客戶對更高引腳數(shù)、更小間距尺寸、更高頻率和更高并行度測試的要求。Volta獨特的設計具有極短的信號路徑,低接觸電阻,可實
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晶圓級可靠性測試:器件開發(fā)的關(guān)鍵步驟（二）

  • 可靠性測試儀器的發(fā)展趨勢　　就像前文所指出的那樣，可靠性測試需要與新器件的設計和新材料的使用密切關(guān)聯(lián) ...
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晶圓級可靠性測試:器件開發(fā)的關(guān)鍵步驟（一）

  • 摘要 隨著器件尺寸的持續(xù)減小，以及在器件的制造中不斷使用新材料，對晶圓級可靠性測試的要求越來越高。在器件 ...
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IC芯片的晶圓級射頻測試

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
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一種創(chuàng)新的晶圓級熱載子并行測試方法

  • 引言
    隨著VLSI集成度的日益提高，MOS器件尺寸不斷縮小至亞微米乃至深亞微米，熱載子效應已成為最嚴重的可靠性問題之一?，F(xiàn)今,為了降低成本,減少周期,不斷的提高工藝,晶圓級的器件可靠性測試愈來愈被廣泛的應用?？v觀
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用于通用X射線應用的晶圓級有源像素CMOS圖像傳感器

  • 摘要: 本文以使用標準CMOS技術(shù)和有源像素架構(gòu)的CMOS有源像素傳感器為研究對象。該傳感器專為X射線成像系統(tǒng)而設計，具有噪聲低和感光度高等特點。這種傳感器已使用標準0.35μm技術(shù)和8″晶圓得到生產(chǎn)。傳感器分辨率為每40 x 40μm2 面積3360 x 3348像素。其對角長度略大于190mm。本文對傳感器的圖紙設計、拼接圖和已得到開發(fā)的電子光學性能進行了論述。       &nbs
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晶圓級介紹

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