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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 更低導(dǎo)通電阻

東芝推出更低導(dǎo)通電阻的小型超薄共漏極MOSFET

  • 中國(guó)上海，2023年5月18日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用于移動(dòng)設(shè)備鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護(hù)電路。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。?鋰離子電池組依靠高度穩(wěn)定的保護(hù)電路來(lái)減少充放電時(shí)產(chǎn)生的熱量，以提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性，同時(shí)要求MOSFET小巧纖薄，且具有更低的導(dǎo)通電阻。?SSM14N956L采用東芝專(zhuān)用的微加工工藝，已經(jīng)發(fā)布的S
  • 關(guān)鍵字： 東芝  更低導(dǎo)通電阻  超薄封裝  共漏極MOSFET  快充  
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更低導(dǎo)通電阻介紹

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