更低導(dǎo)通電阻 文章 進(jìn)入更低導(dǎo)通電阻技術(shù)社區(qū)
東芝推出更低導(dǎo)通電阻的小型超薄共漏極MOSFET
- 中國上海,2023年5月18日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”,該器件可用于移動設(shè)備鋰離子(Li-ion)電池組中的電池保護(hù)電路。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。?鋰離子電池組依靠高度穩(wěn)定的保護(hù)電路來減少充放電時產(chǎn)生的熱量,以提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性,同時要求MOSFET小巧纖薄,且具有更低的導(dǎo)通電阻。?SSM14N956L采用東芝專用的微加工工藝,已經(jīng)發(fā)布的S
- 關(guān)鍵字: 東芝 更低導(dǎo)通電阻 超薄封裝 共漏極MOSFET 快充
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更低導(dǎo)通電阻介紹
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