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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 最低導(dǎo)通電阻

Vishay新款N溝道功率MOSFET刷新最低導(dǎo)通電阻記錄

  • 　　賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月31日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60VN溝道Trench FET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK?SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。
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最低導(dǎo)通電阻介紹

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