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極紫外光刻新技術(shù)問(wèn)世，超越半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限

• 據(jù)科技日?qǐng)?bào)報(bào)道稱，日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)（OIST）官網(wǎng)最新報(bào)告，該校設(shè)計(jì)了一種極紫外（EUV）光刻技術(shù)，超越了半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限?；诖嗽O(shè)計(jì)的光刻設(shè)備可采用更小的EUV光源，其功耗還不到傳統(tǒng)EUV光刻機(jī)的十分之一，從而降低成本并大幅提高機(jī)器的可靠性和使用壽命。在傳統(tǒng)光學(xué)系統(tǒng)中，例如照相機(jī)、望遠(yuǎn)鏡和傳統(tǒng)的紫外線光刻技術(shù)，光圈和透鏡等光學(xué)元件以軸對(duì)稱方式排列在一條直線上。這種方法并不適用于EUV射線，因?yàn)樗鼈兊牟ㄩL(zhǎng)極短，大多數(shù)會(huì)被材料吸收。因此，EUV光使用月牙形鏡子引導(dǎo)。但這又會(huì)導(dǎo)致光線偏離中心軸
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