欠壓保護(hù) 文章進(jìn)入欠壓保護(hù)技術(shù)社區(qū)

功率半導(dǎo)體IGBT熱擊穿失效的可靠性研究

摘要：針對(duì)變頻空調(diào)使用緣柵雙極型晶體管（IGBT）擊穿短路故障進(jìn)行分析，確認(rèn)IGBT為過(guò)壓損壞失效。, 空調(diào)供電電源出現(xiàn)大的波動(dòng)影響芯片供電電源質(zhì)量，電壓偏低導(dǎo)致IGBT開(kāi)通異常，不能及時(shí)欠壓保護(hù)，IGBT 長(zhǎng)時(shí)間處于工作在放大狀態(tài)，IGBT開(kāi)通損耗大熱擊穿失效。本文主要從電路設(shè)計(jì)，工作環(huán)境，模擬驗(yàn)證等方面分析研究，確認(rèn)IGBT擊穿短路失效原因，從設(shè)計(jì)電路與物料選型優(yōu)化提升產(chǎn)品工作可靠性。關(guān)鍵詞：驅(qū)動(dòng)芯片；欠壓保護(hù)；熱擊穿；共地線；電源波動(dòng)；諧波絕緣柵雙極型晶體管（insulated gate b
關(guān)鍵字： 202206 驅(qū)動(dòng)芯片欠壓保護(hù) 熱擊穿共地線電源波動(dòng) 諧波

本文總結(jié)了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統(tǒng)抗雷擊的能力；減少開(kāi)機(jī)瞬間系統(tǒng)的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統(tǒng)重起動(dòng)，導(dǎo)致功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓降低、其進(jìn)入線性區(qū)而發(fā)生損壞，才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下，功率MOSFET發(fā)生損壞的波形和失效形態(tài)，同時(shí)給出了避免發(fā)生這種損壞的幾個(gè)措施。
關(guān)鍵字：功率因素校正旁路二極管線性區(qū) 欠壓保護(hù) 202103 MOSFET

A novel under-voltage protection circuit based on power management chip李宏杰，李立（安陽(yáng)工學(xué)院電子信息與電氣工程學(xué)院，河南安陽(yáng) 455000）??????? 摘要：針對(duì)傳統(tǒng)電源管理芯片中的欠壓保護(hù)電路，提出了一種新型低溫漂、低功耗、高精度的欠壓保護(hù)電路。采用新型無(wú)電壓比較器的欠壓保護(hù)電路架構(gòu)，通過(guò)基準(zhǔn)自偏置產(chǎn)生的無(wú)溫度系數(shù)電流與電源采樣電流進(jìn)行比較，進(jìn)而對(duì)芯片系
關(guān)鍵字： 201904 欠壓保護(hù) 電流比較閾值電壓回差電壓

仔細(xì)分析一款簡(jiǎn)單的欠壓保護(hù)電路發(fā)現(xiàn)它并不能實(shí)現(xiàn)欠壓保護(hù)功能，需要進(jìn)行改進(jìn)，改進(jìn)后的電路比原電路使用的l1個(gè)元件數(shù)量還要少。此電路之所以能實(shí)現(xiàn)欠壓保護(hù)，是基于這樣的分析：電壓正常時(shí)’b點(diǎn)和a點(diǎn)電壓均較高，單向可...
關(guān)鍵字：欠壓保護(hù)