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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 溝道

IR推出基準(zhǔn)工業(yè)級(jí)30V MOSFET

  • 　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認(rèn)證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動(dòng)工具、ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。 　　這些堅(jiān)固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術(shù)，并且通過非常低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少散熱。此外，新器件的超低柵極電荷有助于延長(zhǎng)不間斷電源逆變器或電動(dòng)工具的電池壽命。 　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁
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IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。 　　新系列基準(zhǔn)MOSFET采用了IR最新的溝道技術(shù)，可在4.5V Vgs下實(shí)現(xiàn)非常低的RDS(on) ，顯著改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來更多防護(hù)頻帶，并可減少由
  • 關(guān)鍵字： IR  溝道  MOSFET  
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溝道介紹

　　溝道 　　溝道 （channel） 半導(dǎo)體中由于外加電場(chǎng)引起的沿長(zhǎng)度方向的導(dǎo)電層。如MOS結(jié)構(gòu)中當(dāng)施加外部電場(chǎng)時(shí)在半導(dǎo)體表面形成的積累層及反型層。 [ 查看詳細(xì) ]

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