首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 浮柵存儲

非易失性半導體存儲器的相變機制

  •   非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地,特別是主要用于手機和其它便攜電子設備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高,數(shù)據存儲應用需要寫入速度極快的高密度存儲器,而代碼執(zhí)行應用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。   經過研究人員對浮柵存儲技術的堅持不懈的研究,現(xiàn)有閃存的技術能力在2010年底應該有所提升,盡管如此,現(xiàn)在人們越來越關注有望至少在2020年末以前升級到更小技術節(jié)點的新式存儲器機制和材料。   目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機制,相變存儲器(PC
  • 關鍵字: 恒憶  NVM  存儲器  浮柵存儲  
共1條 1/1 1

浮柵存儲介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條浮柵存儲!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對浮柵存儲的理解,并與今后在此搜索浮柵存儲的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網安備11010802012473