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新型深亞微米電流靈敏放大器技術(shù)

  • 隨著便攜式電子設備(PDA、射頻卡、GPS等)的廣泛應用，半導體存儲器得到了長足的發(fā)展。半導體存儲器的性能將直接影響到系統(tǒng)在速度等方面的性能。因此，設計能夠高速存儲的存儲器便成為當今集成電路設計的一個研究熱點
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應用于深亞微米存儲器的電荷泵設計

  • 因只讀存儲器的基本存儲單元只進行一次編程，編程后的數(shù)據(jù)能長時間保存，且在編程時需要流過mA級以上的電流，所以 ...
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一種應用于深亞微米存儲器的電荷泵設計

  • 因只讀存儲器的基本存儲單元只進行一次編程，編程后的數(shù)據(jù)能長時間保存，且在編程時需要流過mA級以上的電流，所以只讀存儲器編程時通常采用外加編程高壓，內(nèi)部的電荷泵。在設計此類電荷泵時，擊穿電壓和體效應的影響
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一種全新的深亞微米IC設計方法

  • 本文分析了傳統(tǒng)IC設計流程存在的一些缺陷，并且提出了一種基于Logical Effort理論的全新IC設計方法。 眾所周知，傳統(tǒng)的IC設計流程通常以文本形式的說明開始，說明定義了芯片的功能和目標性能。大部分芯片被劃分成便于
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新型深亞微米電流靈敏放大器技術(shù)設計

  • 隨著便攜式電子設備(PDA、射頻卡、GPS等)的廣泛應用，半導體存儲器得到了長足的發(fā)展。半導體存儲器的性能將直接影響到系統(tǒng)在速度等方面的性能。因此，設計能夠高速存儲的存儲器便成為當今集成電路設計的一個研究熱點
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一種基于省時考慮的深亞微米VLSI的物理驗證方法

  • 　　前言  　　超大規(guī)模集成電路設計進入到深亞微米工藝后，以時序驅(qū)動為主的開發(fā)方法使用更加普遍，面臨的新挑戰(zhàn)也隨之而來：為了可制造性而要面臨越來越多的金屬層密度問題和天線效應問題，同時面積減小了，但由于連線延時效應影響，給布局布線帶來了困難，以至于不得不根據(jù)布線后時序的結(jié)果回過頭重新調(diào)整時序約束以保證后面布線后滿足時序要求。這使得整個后端的時間進度壓力加大，尤其對物理驗證而言，作為后端設計人員將設計交給代工廠家前的最后一道程序，時間被壓縮的很緊。因此有必要提出一套成熟的物理驗證方法，來加快
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