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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 清洗不良

功率半導體晶元浪涌擊穿的分析與研究

  • 整流橋擊穿短路失效，故障表現(xiàn)為橋堆內(nèi)部二極管晶元浪涌擊穿。本文從整流橋失效機理、器件結構、生產(chǎn)過程可靠性等方面分析，通過采用X-ray、超景深微鏡、QT2等設備對器件進行全面分析論斷。通過研究分析發(fā)現(xiàn)，此故障為晶元焊接后清洗不良所致，焊接過后晶元周圍多余焊料未清洗干凈，導致晶元耐電壓能力下降。整改從清洗環(huán)節(jié)入手，通過更改清洗溶液比重，以及建立報警和可追溯機制，杜絕此故障發(fā)生。
  • 關鍵字： 晶元  錫渣  清洗不良  浪涌擊穿  比重  202109  
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清洗不良介紹

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