漏電量 文章 進(jìn)入漏電量技術(shù)社區(qū)

英特爾芯片技術(shù)40年來(lái)大突破 漏電量將銳減

• 　　6月13日消息，英特爾的基本晶體管設(shè)計(jì)取得了一項(xiàng)巨大的進(jìn)步。英特爾披露稱，它正在使用兩種全新的材料制作45納米晶體管的絕緣層和開(kāi)關(guān)柵。 　　據(jù)chinapost.com.tw網(wǎng)站報(bào)道，英特爾下一代Core 2 Duo、Core 2 Quad和Xeon等多內(nèi)核處理器將使用數(shù)億個(gè)這種微型晶體管。英特爾稱，它有5個(gè)早期版本的產(chǎn)品正在運(yùn)行。這是英特爾計(jì)劃生產(chǎn)的15個(gè)45納米處理器中的第一個(gè)。 　　這種晶體管能夠讓英特爾繼續(xù)提供創(chuàng)紀(jì)錄的臺(tái)式電腦、筆記本電腦和服務(wù)器處理器的速度，同時(shí)減少晶體管的漏電量。晶
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