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用料扎實(shí)布局合理 愛(ài)可C905t雙核MID拆解

  • 由于目前同質(zhì)化非常嚴(yán)重的小數(shù)碼產(chǎn)業(yè),消費(fèi)者僅從外觀,已經(jīng)很難看出產(chǎn)品真正的優(yōu)劣差異。例如IC、WIFI、FLASH品牌,主板的用料、布局等等,下面我們以愛(ài)可C905t為例,看看一款用料扎實(shí)、布局合理的產(chǎn)品應(yīng)該具備哪些素質(zhì)。     1、NS115主控方案芯片。NS115功耗為400mw,板機(jī)功耗2W。芯片中采用了DVFS、Multi-Vt和Multi-Vd等電源管理技術(shù),動(dòng)態(tài)合理分配與安排電源電壓的使用情況,在對(duì)芯片的不用使用率下,采用不用的頻率進(jìn)行動(dòng)態(tài)分配。NS115封裝采
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愛(ài)可C905t 雙核產(chǎn)品拆解

  • 由于目前同質(zhì)化非常嚴(yán)重的小數(shù)碼產(chǎn)業(yè),消費(fèi)者僅從外觀,已經(jīng)很難看出產(chǎn)品真正的優(yōu)劣差異。例如IC、WIFI、FLASH品牌,主板的用料、布局等等,下面我們以愛(ài)可C905t為例,看看一款用料扎實(shí)、布局合理的產(chǎn)品應(yīng)該具備哪些素質(zhì)。   1、NS115主控方案芯片。NS115功耗為400mw,板機(jī)功耗2W。芯片中采用了DVFS、Multi-Vt和Multi-Vd等電源管理技術(shù),動(dòng)態(tài)合理分配與安排電源電壓的使用情況,在對(duì)芯片的不用使用率下,采用不用的頻率進(jìn)行動(dòng)態(tài)分配。NS115封裝采用了0.8mm的球距,減少了漏電
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愛(ài)可C905t雙核產(chǎn)品拆解

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深入剖析產(chǎn)品質(zhì)量 愛(ài)可C905MX網(wǎng)友拆機(jī)

  •   以超輕薄絕美設(shè)計(jì)和ONE Glass屏幕工藝為賣(mài)點(diǎn)的C905MX已經(jīng)全面開(kāi)售,499元的主流價(jià)格,高性?xún)r(jià)比的標(biāo)簽讓C905MX成為市場(chǎng)上的焦點(diǎn)產(chǎn)品。除了ONE Glass全新的屏幕工藝,用料、做工備受推崇的愛(ài)可,C905MX元器件和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)究竟如何?下面對(duì)C905MX進(jìn)行“肢解”。   愛(ài)可 C905MX (8G)圖片評(píng)測(cè)論壇報(bào)價(jià)   1、 拆解前的各種糾結(jié)   雖然已經(jīng)拆機(jī)無(wú)數(shù),但愛(ài)可是極為少數(shù)的在機(jī)身完全沒(méi)有螺絲的品牌產(chǎn)品??梢钥吹降氖荂905MX新的模具
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愛(ài)可C905t 雙核產(chǎn)品拆解

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愛(ài)可C905t雙核產(chǎn)品拆解

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深入剖析產(chǎn)品質(zhì)量 愛(ài)可C905MX網(wǎng)友拆機(jī)

  •   以超輕薄絕美設(shè)計(jì)和ONE Glass屏幕工藝為賣(mài)點(diǎn)的C905MX已經(jīng)全面開(kāi)售,499元的主流價(jià)格,高性?xún)r(jià)比的標(biāo)簽讓C905MX成為市場(chǎng)上的焦點(diǎn)產(chǎn)品。除了ONE Glass全新的屏幕工藝,用料、做工備受推崇的愛(ài)可,C905MX元器件和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)究竟如何?下面對(duì)C905MX進(jìn)行“肢解”。    ?   愛(ài)可 C905MX (8G)圖片評(píng)測(cè)論壇報(bào)價(jià)   1、 拆解前的各種糾結(jié)   雖然已經(jīng)拆機(jī)無(wú)數(shù),但愛(ài)可是極為少數(shù)的在機(jī)身完全沒(méi)有螺絲的品牌產(chǎn)品。可以看到的是C9
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愛(ài)可C905t 雙核產(chǎn)品拆解

  •   由于目前同質(zhì)化非常嚴(yán)重的小數(shù)碼產(chǎn)業(yè),消費(fèi)者僅從外觀,已經(jīng)很難看出產(chǎn)品真正的優(yōu)劣差異。例如IC、WIFI、FLASH品牌,主板的用料、布局等等,下面我們以愛(ài)可C905t為例,看看一款用料扎實(shí)、布局合理的產(chǎn)品應(yīng)該具備哪些素質(zhì)。   1、NS115主控方案芯片。NS115功耗為400mw,板機(jī)功耗2W。芯片中采用了DVFS、Multi-Vt和Multi-Vd等電源管理技術(shù),動(dòng)態(tài)合理分配與安排電源電壓的使用情況,在對(duì)芯片的不用使用率下,采用不用的頻率進(jìn)行動(dòng)態(tài)分配。NS115封裝采用了0.8mm的球距,減少了
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