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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 相變化內(nèi)存

相變化內(nèi)存開創(chuàng)新型內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 相變化內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是一項(xiàng)全新的內(nèi)存技術(shù)，目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動(dòng)。這項(xiàng)技術(shù)集當(dāng)今揮發(fā)性內(nèi)存和非揮發(fā)性內(nèi)存兩大技術(shù)之長，為系統(tǒng)工程師提供極具吸引力的技術(shù)特性和功能。工程師無
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相變化內(nèi)存介紹

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