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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 相變化記憶體

三星電子和Numonyx將聯(lián)合開發(fā)下一代記憶體PCM

  • 　　6月24日消息,三星電子和Numonyx表示，雙方將聯(lián)合開發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術(shù)。 　　三星電子和Numonyx表示，雙方將合作開發(fā)PCM的通用規(guī)范，該技術(shù)有望用于高級聽筒、移動電話和電腦設(shè)備中。英特爾和意法半導(dǎo)體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱，PCM讀寫速度非常快，但耗電量卻低于傳統(tǒng)的NOR和NAND快閃記憶體。   　　三星電子和Numonyx還表示，雙方的通用規(guī)范將于今年完成，預(yù)計明年將推出兼容設(shè)備。
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  NOR  PCM  相變化記憶體  
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相變化記憶體介紹

　　相變化記憶體名稱有很多種，包括PCM(Phase Change Memory)、PRAM(Phase-change RAM)等，英特爾、IBM 、意法和三星最先開發(fā)PCM，而三星宣布已開始量產(chǎn)512MbPRAM。PRAM是一種非易失性存儲技術(shù),用的材料為硫系玻璃，基于硫族材料的電致相變?！　∪虻南嘧兓洃涹w分為3大陣營，包括恒憶(NumONyx)／英特爾(Intel)、三星電子(Samsun [ 查看詳細(xì) ]

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