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瞻芯電子:第三代SiC MOSFET通過車規(guī)認(rèn)證

  • 6月23日,瞻芯電子宣布,公司基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認(rèn)證。同時(shí),瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn),后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。瞻芯電子成立于2017年,是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司,致力于開發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品。瞻芯電子表示,第三代1200V 13
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瞻芯電子介紹

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