首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 硅功率產(chǎn)品

eGaN FET比拼MOSFET，驅(qū)動(dòng)器和布局

  • 在本系列的第一篇文章中，我們使用不同的衡量標(biāo)準(zhǔn)對(duì)增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN）功率器件和先進(jìn)的硅MOSFET進(jìn)行了比較...
  • 關(guān)鍵字： eGaN  FETMOSFET  硅功率產(chǎn)品  驅(qū)動(dòng)器  
共1條 1/1 1

硅功率產(chǎn)品介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條硅功率產(chǎn)品!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)硅功率產(chǎn)品的理解，并與今后在此搜索硅功率產(chǎn)品的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473