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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 硅升華

速度提升百倍 美科學家在4英寸基體上制成石墨薄膜

  • 　　美國賓夕法尼亞州立大學光電材料中心(Electro-Optics Center Materials Division：EOC)的研究人員最近成功地在4英寸(100mm)大小的基體上制成了石墨薄膜，這種石墨薄膜是由碳原子組成的平面薄膜，薄膜的厚度極薄，只有1-2個碳原子的厚度，相比傳統(tǒng)外延生長出來的硅膜，石墨薄膜內(nèi)部的碳原子組織結(jié)構(gòu)能夠極大地提高電路的電性能，電路的運行速度可達硅電路 的100倍。 　　由于在硅基體上直接生成石墨薄膜時，很難保證薄膜內(nèi)部碳原子結(jié)構(gòu)的一致性，因此過去科學家制造石墨電路的方
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硅升華介紹

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