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富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

  • 　　富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。 　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化，從而可以通過(guò)硅晶圓直徑的增加，來(lái)實(shí)現(xiàn)低成本生產(chǎn)。按照此目標(biāo)，富
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藍(lán)寶石基板降價(jià)的原因及對(duì)LED產(chǎn)業(yè)的影響

  • 對(duì)LED廠(chǎng)商第3季業(yè)績(jī)的預(yù)估，因第2季產(chǎn)能利用率已開(kāi)始提升，預(yù)估高峰期在7月~8月，而且將持續(xù)釋放，故2011年第3季營(yíng)...
  • 關(guān)鍵字： 藍(lán)寶石基板  硅基板  LED產(chǎn)能    
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硅基板介紹

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