碳納米管內(nèi)存 文章 進(jìn)入碳納米管內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

富士通將推碳納米管內(nèi)存：55nm工藝 比閃存快一千倍

• 　　在納米技術(shù)研究領(lǐng)域，碳納米管(也叫富勒烯，簡(jiǎn)稱CNT)是一種很獨(dú)特的材料，直徑只有人類頭發(fā)的5萬分之一，能導(dǎo)熱導(dǎo)電，硬度是鋼鐵的50倍，話說小編學(xué)生時(shí)代就經(jīng)常聽到以碳納米管為基礎(chǔ)的各種高科技，包括各種神器的電池。在存儲(chǔ)領(lǐng)域，碳納米管通過硅基沉底也能實(shí)現(xiàn)0、1變化，因此也可以存儲(chǔ)芯片，而且是非易失性的，斷電也不會(huì)清除數(shù)據(jù)。 　　   　　   　　NRAM存儲(chǔ)的優(yōu)勢(shì) 　　相比普通閃存，NRAM存儲(chǔ)芯片的優(yōu)勢(shì)太多了，讀寫速度是普通閃存的1000倍(Nanteo官網(wǎng)上
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