首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 立體晶體管

CMOS技術(shù)將迎來轉(zhuǎn)折點 開始從15nm工藝向立體晶體管過渡

  • 　　邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計將在2013年前后15nm工藝達(dá)到量產(chǎn)水平時迎來重大轉(zhuǎn)折點。將由現(xiàn)行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導(dǎo)體廠商均已開始表現(xiàn)出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后，估計也會對各公司的微細(xì)化競爭帶來影響。 　　元件材料及曝光技術(shù)也會出現(xiàn)轉(zhuǎn)折 　　“估計一多半的半導(dǎo)體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”(英特爾)?！霸?0nm以
  • 關(guān)鍵字： CMOS  15nm  立體晶體管  

臺積電宣布已開發(fā)出22/20nm Finfet雙門立體晶體管制程

  • 　　據(jù)electronicsweekly網(wǎng)站報道，臺積電公司近日宣稱已經(jīng)開發(fā)出一套采用Finfet雙門立體晶體管技術(shù)制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已經(jīng)采用這種制程造出了面積僅0.1平方微米的SRAM單元(內(nèi)含6個CMOS微晶體管)，據(jù)稱這種制程生產(chǎn)的芯片產(chǎn)品在0.45V工作 電壓條件下的信號噪聲僅為0.09V。 　　這種Finfet制程技術(shù)采用了雙外延(dual-epitaxy)和多重硅應(yīng)變(multiple stressors，指應(yīng)用多種應(yīng)力源增強溝道載流子遷移率的技術(shù))技術(shù)，臺積電宣稱
  • 關(guān)鍵字： 臺積電  立體晶體管  20nm  
共2條 1/1 1

立體晶體管介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條立體晶體管!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對立體晶體管的理解，并與今后在此搜索立體晶體管的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473