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低功耗SiC二極管實現最高功率密度

- 相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術,提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流,且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導體。 安森美半導體擴展了其650伏(V) SiC二極管系列,提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車(EV / HEV)充電器、電信電源和數據中心電源等各類應用的PFC和升壓轉換器時,往往面對在更小尺寸實現更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
- 關鍵字: 肖特基二極,SiC
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肖特基二極介紹
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