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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 脈沖i-v測試

IC芯片的晶圓級射頻測試

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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咱的納米有幾 安(A)、伏(V)?(下)

  • 　　解決問題：脈沖I-V測試 ——納米測試小技巧 　　在對納米器件進(jìn)行電流-電壓(I-V)脈沖特征分析時(shí)通常需要測量非常小的電壓或電流，因?yàn)槠渲行枰謩e加載很小的電流或電壓去控制功耗或者減少焦耳熱效應(yīng)。這里，低電平測量技術(shù)不僅對于器件的I-V特征分析而且對于高電導(dǎo)率材料的電阻測量都非常重要。利于研究人員和電子行業(yè)測試工程師而言，這一功耗限制對當(dāng)前的器件與材料以及今后器件的特征分析提出了巨大的挑戰(zhàn)。 　　與微米級元件與材料的I-V曲線生成不同的是，對納米材料與器件的測量需要特殊的
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半導(dǎo)體C-V測量基礎(chǔ)

  • 　　通用測試 　　電容-電壓(C-V)測試廣泛用于測量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機(jī)TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導(dǎo)體器件。 　　這類測量的基本特征非常適用于各種應(yīng)用和培訓(xùn)。大學(xué)的研究實(shí)驗(yàn)室和半導(dǎo)體廠商利用這類測量評測新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測量對于產(chǎn)品和良率增強(qiáng)工程師也是極其重要的，
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脈沖i-v測試介紹

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