脈寬調(diào)制(pwm) 文章 進(jìn)入脈寬調(diào)制(pwm)技術(shù)社區(qū)
PWM應(yīng)用中的低電壓反饋
- 2004年6月A版 就低電壓高電流電源應(yīng)用而言,開關(guān)式電源柵極驅(qū)動要求特別重要。由于幾個 MOSFET 器件通常并聯(lián)以滿足特定設(shè)計的高電流規(guī)范要求,因此單一集成電路控制器與驅(qū)動器解決方案就變的不再可行。MOSFET 并聯(lián)可降低漏極到源極的導(dǎo)通電阻,并減少傳導(dǎo)損耗。但是,隨著并聯(lián)器件的增多,柵極充電的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的內(nèi)部阻抗大大低于驅(qū)動級,因此與驅(qū)動并聯(lián)組合相關(guān)的大多數(shù)功率損耗,其形式都表現(xiàn)為控制器集成電路的散熱。因此,許多單片解決方案的驅(qū)動級由于并聯(lián)組合的關(guān)系都無法有效地滿足
- 關(guān)鍵字: PWM 模擬IC 電源
脈寬調(diào)制(pwm)介紹
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