膜厚測(cè)量 文章 進(jìn)入膜厚測(cè)量技術(shù)社區(qū)

助力提升芯片質(zhì)量和產(chǎn)量，半導(dǎo)體工藝監(jiān)測(cè)中的光譜應(yīng)用

• 根據(jù)檢測(cè)工藝所處的環(huán)節(jié)，IC集成電路檢測(cè)被分為設(shè)計(jì)驗(yàn)證、前道量檢測(cè)和后道檢測(cè)。前道量測(cè)、檢測(cè)均會(huì)用到光學(xué)技術(shù)和電子束技術(shù)，其中光學(xué)量測(cè)通過分析光的反射、衍射光譜間接進(jìn)行測(cè)量，其優(yōu)點(diǎn)是速度快、分辨率高、非破壞性。后道檢測(cè)工藝是芯片生產(chǎn)線的“質(zhì)檢員”，根據(jù)工藝在封裝環(huán)節(jié)的前后順序，后道檢測(cè)可以分為CP測(cè)試和FT測(cè)試。在以上測(cè)試中，光譜儀可以用于膜厚測(cè)量、蝕刻終點(diǎn)監(jiān)控等工藝中。(一)膜厚測(cè)量半導(dǎo)體集成電路的生產(chǎn)以數(shù)十次至數(shù)百次的鍍膜、光刻、蝕刻、去膜、平坦等為主要工序，膜層的厚度、均勻性等直接影響芯片的質(zhì)量和產(chǎn)
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