英諾賽科 文章 進入英諾賽科技術(shù)社區(qū)
EPC起訴英諾賽科,要求保護氮化鎵(GaN)專利
- 案例聚焦新一代替代硅技術(shù)?(加利福尼亞州,埃爾塞貢多)-- 氮化鎵(GaN)技術(shù)的全球領導者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下簡稱宜普公司)于今日向美國聯(lián)邦法院和美國國際 貿(mào)易委員會(U.S. International Trade Commission, ITC)提起訴訟,主張其基礎專利組合中的 四項專利受到英諾賽科(珠海)科技有限公司及其子公司(以下統(tǒng)稱英諾賽科)侵犯。 這些專利 涉及宜普公司獨家的增強型氮化
- 關鍵字: 宜普電源 EPC 英諾賽科 氮化鎵 GaN
英諾賽科寬禁帶半導體項目完成主體施工
- 據(jù)看看新聞網(wǎng)報道,目前,英諾賽科(蘇州)半導體有限公司項目主體施工已經(jīng)完成。資料顯示,英諾賽科寬禁帶半導體項目總投資68.55億元人民幣,注冊資本20億元,占地368.6畝,主要建設從器件設計,驅(qū)動IC設計開發(fā),材料制造,器件制備,后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導體器件制造平臺。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺。據(jù)規(guī)劃,項目開工后兩年內(nèi)投產(chǎn),投產(chǎn)后三年實現(xiàn)年產(chǎn)78萬片功率控制電路及半導體電力電子器件的總目標,年銷售收入約
- 關鍵字: 英諾賽科 寬禁帶半導體
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