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使用SEMulator3D進行虛擬工藝故障排除和研究

• 現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝極其復(fù)雜，包含成百上千個互相影響的獨立工藝步驟。在開發(fā)這些工藝步驟時，上游和下游的工藝模塊之間常出現(xiàn)不可預(yù)期的障礙，造成開發(fā)周期延長和成本增加。本文中，我們將討論如何使用 SEMulator3D?中的實驗設(shè)計 (DOE) 功能來解決這一問題。在 3D NAND 存儲器件的制造中，有一個關(guān)鍵工藝模塊涉及在存儲單元中形成金屬柵極和字線。這個工藝首先需要在基板上沉積數(shù)百層二氧化硅和氮化硅交替堆疊層。其次，在堆疊層上以最小圖形間隔來圖形化和刻蝕存儲孔陣列。此時，每層氮化硅（即將成為字線）的外表變得像
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