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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 蝕刻

SSEC晶圓蝕刻制程平臺(tái)專(zhuān)用多路徑回收排放管路

  • 　　先進(jìn)封裝與半導(dǎo)體元件、高亮度發(fā)光二極體與硬碟制造之單晶圓濕制程系統(tǒng)大廠美國(guó)固態(tài)半導(dǎo)體設(shè)備(Solid State Equipment LLC，DBA SSEC) 發(fā)表專(zhuān)為 WaferEtch 平臺(tái)設(shè)計(jì)的多路徑回收排放管路(MultiPath Collection Drain)。專(zhuān)屬的排放管路設(shè)計(jì)能在相同的反應(yīng)室內(nèi)收集、再循環(huán)、并隔絕多種化學(xué)品，且?guī)缀醪粫?huì)造成化學(xué)品的交叉污染，而且能夠形成獨(dú)特的化學(xué)品排放路徑，并維持SSEC出色的化學(xué)品儲(chǔ)存值。此外，即時(shí)冷卻功能可對(duì)現(xiàn)今微細(xì)特征蝕刻應(yīng)用提供更佳的制程控制
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超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹

  • 超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹目前，集成度呈越來(lái)越高的趨勢(shì)，許多公司紛紛開(kāi)始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問(wèn)題，因此在封裝研究中心（PRC）以及許多其它研究機(jī)構(gòu)，均將系統(tǒng)封裝（SOP或稱(chēng)SiP）視為SOC解決方案
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印制電路板蝕刻過(guò)程中的需注意的地方

  • 蝕刻是印制電路板制作工業(yè)中重要的一步。它看上去簡(jiǎn)單，但實(shí)際上，如果在蝕刻階段出現(xiàn)問(wèn)題將會(huì)影響板子的最終質(zhì)量，特別是在生產(chǎn)細(xì)紋或高精度印制電路板時(shí)，尤為重要。在制作過(guò)程中經(jīng)常遇見(jiàn)的兩個(gè)問(wèn)題是側(cè)蝕和鍍層突
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利用濕式蝕刻工藝提高LED光萃取效率之產(chǎn)能與良率的方法

  • 近幾年來(lái)III族氮化物（III-Nitride）高亮度發(fā)光二極體（High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED）深獲廣大重視，目前廣泛應(yīng)用于交通號(hào)志、LCD背光源及各種照明使用上?；旧?，GaN LED是以磊晶（Epitaxial）方
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印制電路板蝕刻過(guò)程中的問(wèn)題

  • 蝕刻是印制電路板制作工業(yè)中重要的一步。它看上去簡(jiǎn)單，但實(shí)際上，如果在蝕刻階段出現(xiàn)問(wèn)題將會(huì)影響板子的最終質(zhì)量，特別是在生產(chǎn)細(xì)紋或高精度印制電路板時(shí)，尤為重要。在制作過(guò)程中經(jīng)常遇見(jiàn)的兩個(gè)問(wèn)題是側(cè)蝕和鍍層突
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PCB外層電路的加工蝕刻

  • 　目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用圖形電鍍法。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱(chēng)為蝕刻?！　∫⒁獾氖?這時(shí)的板子上
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IBM宣布旗下芯片廠將停用PFOS/PFOA兩種有毒化合物

  • 　　IBM公司近日宣布其名下的芯片制造廠中將停止使用全氟辛烷磺?；衔?PFOS)和全氟辛酸(PFOA)兩種有毒有害化合物。多年前，在歐盟以及其它 一些國(guó)家的環(huán)保部門(mén)出臺(tái)限制使用這兩種化合物的法規(guī)之后，美國(guó)環(huán)保署也出臺(tái)了限制在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的生產(chǎn)過(guò)程中使用這兩種化合物的法規(guī)，這兩種化合物一般用于 防污和防潮處理。 　　不過(guò)在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中，仍允許使用這兩種化合物，半導(dǎo)體制造的光刻和蝕刻工步需要少量使用這兩種化合物。經(jīng)過(guò)10多年的努力，IBM終于找到了這兩種有毒化合物的替代用品。 　　IBM公司主管微電
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澳大利亞研制納米電子束曝光系統(tǒng)

  • 　　據(jù)澳大利亞莫納什大學(xué)網(wǎng)站報(bào)道,澳大利亞研究人員正在研制世界最強(qiáng)大的納米設(shè)備之一——電子束曝光系統(tǒng)(EBL).該系統(tǒng)可標(biāo)記納米級(jí)的物體,還可在比人發(fā)直徑小1萬(wàn)倍的粒子上進(jìn)行書(shū)寫(xiě)或者蝕刻. 　　電子束曝光技術(shù)可直接刻畫(huà)精細(xì)的圖案,是實(shí)驗(yàn)室制作微小納米電子元件的最佳選擇.這款耗資數(shù)百萬(wàn)美元的曝光系統(tǒng)將在澳大利亞亮相,并有能力以很高的速度和 定位精度制出超高分辨率的納米圖形.該系統(tǒng)將被放置在即將完工的墨爾本納米制造中心(MCN)內(nèi),并將于明年3月正式揭幕. 　　MCN的臨時(shí)負(fù)責(zé)人阿
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蝕刻介紹

　　蝕刻 　　蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類(lèi)。 　　目錄 　　1蝕刻原理 　　2工藝流程 　　3注意問(wèn)題 　　1蝕刻原理 　　通常所指蝕刻也稱(chēng)光化學(xué)蝕刻（photochemical etching），指通過(guò)曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)接 [ 查看詳細(xì) ]

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