負(fù)載開關(guān) 文章 進(jìn)入負(fù)載開關(guān)技術(shù)社區(qū)
MAX417 僅吸收6μA電流的負(fù)載開關(guān)
- MAX417 僅吸收6μA電流的負(fù)載開關(guān)
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TI推出具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān)
- 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān),其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mW 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (rON) 比同類競(jìng)爭產(chǎn)品低 4 倍。TI TPS22924C 將至少 4 個(gè)部件集成于一體,從而簡化子系統(tǒng)負(fù)載管理。采用超小型 1.4 毫米 x 0.9 毫米芯片級(jí)封裝 (CSP) 的高度集成性可充分滿足空間有限的電池供電應(yīng)用需求,如便攜式工業(yè)與醫(yī)療設(shè)備、媒體播放器、銷售點(diǎn)終端、全球定位系統(tǒng) (GPS)、筆記本電腦、上網(wǎng)本以及智能電話等。 TPS22924C 的主要特性與
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AATI推出應(yīng)用于生物安全器件的最低功率負(fù)載開關(guān)
- 專注于消費(fèi)類、工業(yè)類和電信市場(chǎng)的模擬器件半導(dǎo)體公司Advanced Analogic Technologies, Inc. (Nasdaq: AATI) 于日前推出了 AAT4702。該負(fù)載開關(guān)高度集成,與同類的分立產(chǎn)品相比引腳數(shù)目減少了一半。 除較小的尺寸外, AAT4702消耗的靜態(tài)電流為 15 micro A ,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于市場(chǎng)上其它任何集成負(fù)載開關(guān)/低壓差(LDO) 穩(wěn)壓器。 AAT4702采用 緊湊的 8-pin、2x2-mm FTDFN封裝,是一種P-channel 的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)
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Fairchild推出全新的FPF23xx系列先進(jìn)負(fù)載開關(guān)
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為機(jī)頂盒、筆記本電腦、上網(wǎng)本和移動(dòng)便攜設(shè)備 (UMPC) 提供全新的FPF23xx系列先進(jìn)負(fù)載開關(guān)。該系列采用雙開關(guān)配置,提供業(yè)界最嚴(yán)格容差(15%)的限流 保護(hù),能夠簡化設(shè)計(jì)并加快產(chǎn)品上市速度。低容差可令設(shè)計(jì)人員減少功率母線上的最高運(yùn)作電流值 (限流上限),從而簡化組件篩選和應(yīng)用評(píng)測(cè),并且不會(huì)干擾設(shè)計(jì)的正常運(yùn)作性能。 限流保護(hù)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)常見于設(shè)備多 USB 端口的電源應(yīng)用,設(shè)計(jì)人員必須保護(hù)其系統(tǒng)USB接口避免承受過多的負(fù)載電
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德州儀器推出業(yè)界最小型集成負(fù)載開關(guān)
- 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出全新集成負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品系列,該系列具有控制啟動(dòng)與快速輸出放電功能,從而可簡化子系統(tǒng)負(fù)載管理。TPS229xx 系列產(chǎn)品不僅采用超小型 0.8 毫米 x 0.8 毫米晶圓級(jí)芯片封裝技術(shù) (WCSP) 封裝,比傳統(tǒng)的分立式解決方案小十倍,而且還支持便攜式媒體播放器、手機(jī)以及便攜式導(dǎo)航系統(tǒng)等空間受限型應(yīng)用。 TPS229xx系列具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻,與同類競(jìng)爭解決方案相比,可最大限度地降低通過開關(guān)的壓降。同時(shí),該全新 TI 器件還支持從 0.9 V 至 3.6 V
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負(fù)載開關(guān)的發(fā)展概況
- 負(fù)載開關(guān)基本電路 功率MOSFET是一種具有良好開關(guān)特性的器件:導(dǎo)通時(shí)其導(dǎo)通電阻RDS(ON)很??;在關(guān)斷時(shí)其漏電流IDSS很小。另外,它的耐壓范圍很寬,從幾十V到幾百V,漏極電源范圍寬,從幾A到幾十A,所以非常適合作負(fù)載開關(guān)。 N溝道MOSFET可以組成最簡單的負(fù)載開關(guān),如圖1所示。負(fù)載接在電源與漏極之間(負(fù)載可以是直流電動(dòng)機(jī)、散熱風(fēng)扇、大功率LED、白熾燈泡或螺管線圈等)。在其柵極上加一個(gè)邏輯高電平,則N-MOSFET導(dǎo)通,負(fù)載得電;在其柵極加一個(gè)邏輯低電平,則N-MOSFET關(guān)斷,負(fù)載失
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移動(dòng)產(chǎn)品應(yīng)用中電源管理半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì):今天的負(fù)載開關(guān)
- 消費(fèi)者總是追求更小巧、更輕薄及功能更豐富的便攜式電子設(shè)備,這是一個(gè)不爭的事實(shí)。這迫使消費(fèi)產(chǎn)品公司不得不想辦法以滿足用戶幾乎無止境的欲望:“更小巧”、“更便宜” 、“效率更高” 、“更簡單” 、“更易于使用”。然而答案并不新鮮,就是集成化。集成化是這場(chǎng)游戲的名稱,它充斥在便攜式電子設(shè)計(jì)的每個(gè)角落。從簡單的 MOSFET 開關(guān),到當(dāng)前先進(jìn)的負(fù)載開關(guān),在最新的功率管理 IC中,這種集成化趨勢(shì)司
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研諾新款雙轉(zhuǎn)換速率降低系統(tǒng)占板面積和成本
- 研諾邏輯科技有限公司(AnalogicTech) ,日前宣布推出一款新型雙速率、轉(zhuǎn)換速率可控負(fù)載開關(guān)AAT4282A,它實(shí)現(xiàn)了在單一的2 x 2 mm封裝內(nèi)集成兩個(gè)低電阻、轉(zhuǎn)換速率可控負(fù)載開關(guān),從而使設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)了減少元器件數(shù)量、并降低了成本。作為研諾快速成長的特殊應(yīng)用功率MOSFET(ASPM)產(chǎn)品系列中的一部分,AAT4282A帶有兩個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),每一個(gè)典型的RDS(ON)在電壓為5V時(shí)僅為60 mΩ,通過提供比市場(chǎng)上競(jìng)爭性單體產(chǎn)品更低的正向電壓降,支持
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飛兆半導(dǎo)體的 IntelliMAXTM 負(fù)載開關(guān)系列
- 為便攜式設(shè)計(jì)提供業(yè)界領(lǐng)先的封裝技術(shù)和熱性能 全新 FPF100x 系列負(fù)載開關(guān)將回轉(zhuǎn)率控制、ESD 保護(hù)及負(fù)載放電功能 集成在單一器件中 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新IntelliMAXTM 負(fù)載開關(guān)系列FPF100x,具有業(yè)界領(lǐng)先的封裝技術(shù) (WL-CSP 或 MLP)、高度集成 (集成了回轉(zhuǎn)率控制、ESD保護(hù)及負(fù)載放電功能) 
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負(fù)載開關(guān)介紹
負(fù)載開關(guān)是一款內(nèi)置P溝道MOSFET,自帶ON/OFF功能和輸出電流保護(hù)功能的低消耗電流負(fù)載開關(guān)。它能夠控制供電電路的時(shí)序,并帶有CL放電電路,因此在使用多個(gè)電源的應(yīng)用中,能最大限度地有效合理地分配電源,大大提高了電池的使用時(shí)間,延長使用壽命。 導(dǎo)通電阻 0.75Ω@VIN=2.9V(TYP.) 1.15Ω@VIN=1.8V (TYP.) 輸出電流 200mA(300mA限流TYP.) [ 查看詳細(xì) ]
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