超低漏電流晶體管 文章 進(jìn)入超低漏電流晶體管技術(shù)社區(qū)

ST發(fā)布超低功耗的8位和32位微控制器技術(shù)平臺

• 　　微控制器的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼：STM)，發(fā)布用于制造8位和32位微控制器的全新超低功耗技術(shù)平臺的細(xì)節(jié)。新的技術(shù)平臺將有助于新一代電子產(chǎn)品降低功耗，滿足不斷升級的能效標(biāo)準(zhǔn)的要求，延長電池驅(qū)動設(shè)備的工作時間。滿足這些日益提高的標(biāo)準(zhǔn)需要全方位考慮微控制器的設(shè)計和制程技術(shù)，進(jìn)行全面的最大限度的改進(jìn)。 　　新平臺采用130nm制程，意法半導(dǎo)體對這個平臺進(jìn)行了深度優(yōu)化，邏輯功能采用超低漏電流晶體管，模擬功能采用低壓晶體管，同時選用創(chuàng)新的低功耗嵌入式存儲器、新的低壓低功耗標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)和創(chuàng)新的電
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