輪廓建模 文章 進(jìn)入輪廓建模技術(shù)社區(qū)

利用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行 CMP 氧化物沉積表面輪廓建模

• 簡(jiǎn)介化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP) 是當(dāng)今集成電路 (IC) 制造工藝中的關(guān)鍵作業(yè)。由于設(shè)計(jì)極其緊湊，并且 縮小到最先進(jìn)的工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)，CMP 后的平面性變化可能會(huì)對(duì)制造成功產(chǎn)生重大影響。為了減輕 CMP 工藝的負(fù)面影響，大多數(shù) IC 制造商使用 CMP 建模來(lái)檢測(cè)前道工序 (FEOL) 和 后道工序 (BEOL) 層中的潛在弱點(diǎn)，作為其可制造性設(shè)計(jì) (DFM) 流程的一部分。CMP 弱點(diǎn)分 析旨在尋找設(shè)計(jì)中經(jīng)過(guò) CMP 后出現(xiàn)缺陷的概率高于平均值的區(qū)域。不同材料在 CMP 工藝 下會(huì)表現(xiàn)出不同的腐蝕速率，因此
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