首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 遷移率

載流子遷移率測量方法總結(jié)

  • 遷移率是衡量半導體導電性能的重要參數(shù)，它決定半導體材料的電導率，影響器件的工作速度。已有很多文章對載流子遷移率的重要性進行研究，但對其測量方法卻少有提到。本文對載流子測量方法進行了小結(jié)。
  • 關(guān)鍵字： 半導體材料  遷移率  
共1條 1/1 1

遷移率介紹

遷移率 在電場作用下，半導體中的載流子作定向漂移運動,由此形成的電流稱為漂移電流。在電場強度不太大時，電子和空穴移動的速度（也稱漂移速度）vn、vp與電場強度E成正比，可表示為 vn=－mnE 或vp=mpE 式中，mn為電子遷移率；mp為空穴遷移率。遷移率m是單位電場強度引起的載流子的平均漂移速度，其數(shù)值與半導體的材料、摻雜濃度、溫度等有關(guān)。在室溫300K時，硅材料的mn =0.13 [ 查看詳細 ]

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473