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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 連續(xù)性測(cè)試

半導(dǎo)體封裝的連續(xù)性測(cè)試

  •   隨著半導(dǎo)體封裝越來(lái)越復(fù)雜,常用的連續(xù)性測(cè)試不再適合開(kāi)路及引腳間短路的檢測(cè)了,因?yàn)榇蟛糠譁y(cè)試方法是針對(duì)沿著封裝周邊器件的引腳來(lái)設(shè)計(jì)的。然而,現(xiàn)今的微表面貼裝器件(SMD)和球柵陣列(BGA)封裝的引腳是按陣列方式排列的,這種排列需要使用新的測(cè)試方法。   在典型的測(cè)試中,測(cè)試設(shè)備對(duì)所有引腳并聯(lián),施加小量電流(通常幾毫安),并測(cè)量每個(gè)引腳的二極管導(dǎo)通電壓,以此驗(yàn)證測(cè)試儀與內(nèi)部芯片之間的連續(xù)性。為每個(gè)引腳的預(yù)期二極管壓降設(shè)定適當(dāng)限值,一次并聯(lián)的連續(xù)性測(cè)試就能夠從開(kāi)路的I/O篩選元件。這種并聯(lián)連續(xù)測(cè)試同樣能
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連續(xù)性測(cè)試介紹

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