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用于電源SiP的半橋MOSFET集成方案研究

  • 系統(tǒng)級(jí)封裝(System in Package,SiP)設(shè)計(jì)理念是實(shí)現(xiàn)電源小型化的有效方法之一。然而,SiP空間有限,功率開關(guān)MOSFET的集成封裝方案對(duì)電源性能影響大。本文討論同步開關(guān)電源拓?fù)渲械陌霕騇OSFET的不同布局方法,包括基板表面平鋪、腔體設(shè)計(jì)、3D堆疊等;以及不同的電源互連方式,包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復(fù)雜度、組裝維修等方面,對(duì)比了不同方案的優(yōu)缺點(diǎn),為電源SiP的設(shè)計(jì)提供參考。
  • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)級(jí)封裝  腔體  3D堆疊  鍵合  銅片夾扣  202112  MOSFET  
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銅片夾扣介紹

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