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國(guó)內(nèi)首家DRAM供應(yīng)商誕生:10nm級(jí)工藝 月產(chǎn)能將占全球3%

  • 近日,據(jù)外媒報(bào)道,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式宣布其成為了國(guó)內(nèi)第一家也是唯一一家DRAM供應(yīng)商。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2016年5月在安徽合肥啟動(dòng),專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,目前已建成第一座300毫米晶圓廠并投產(chǎn),并通過(guò)專用研發(fā)線快速迭代研發(fā),結(jié)合當(dāng)前先進(jìn)設(shè)備大幅度改進(jìn)工藝,開(kāi)發(fā)出了獨(dú)有的技術(shù)體系。長(zhǎng)鑫內(nèi)存自主制造項(xiàng)目總投資1500億元,將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代10nm工藝級(jí)8Gb DDR4內(nèi)存芯片,并獲得了工信部旗下檢測(cè)機(jī)構(gòu)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測(cè)報(bào)告。該晶圓廠每月產(chǎn)量為20000晶圓,到2020年第二季度這一速
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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公布新路線圖:已開(kāi)始生產(chǎn)19nm計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器

  • 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(CXMT)已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)基于 19nm 工藝的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器,且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級(jí)制程的路線圖,計(jì)劃在未來(lái)生產(chǎn)各種類型的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)。為了提升產(chǎn)量,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還計(jì)劃建造另外兩座晶圓廠。作為中國(guó)制造 2025 項(xiàng)目的一部分,其有望支撐全球一半左右的 DRAM 需求。
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國(guó)產(chǎn)雄起!合肥長(zhǎng)鑫19nm DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能增加

  • 存儲(chǔ)器產(chǎn)品占到了我國(guó)每年進(jìn)口半導(dǎo)體芯片中的大頭,其中DRAM內(nèi)存芯片占比最高,有20%以上。最新報(bào)道稱,合肥長(zhǎng)鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的產(chǎn)能,目標(biāo)是月產(chǎn)4萬(wàn)片晶圓。在9月份開(kāi)幕的201 9世界制造業(yè)大會(huì)上,合肥長(zhǎng)鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長(zhǎng)鑫內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目投產(chǎn),將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)8Gb DDR4內(nèi)存。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官朱一明介紹,投產(chǎn)的8Gb DDR4通過(guò)了多個(gè)國(guó)內(nèi)外大客戶的驗(yàn)證,今年底正式交付,另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。據(jù)悉,長(zhǎng)鑫的DRAM技術(shù)
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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)宣布其設(shè)計(jì)產(chǎn)能12萬(wàn)片生產(chǎn)線投產(chǎn)

  • 新華社消息,在合肥召開(kāi)的2019世界制造業(yè)大會(huì)上,總投資約1500億元的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn),其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級(jí)第一代8Gb DDR4首度亮相,一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月12萬(wàn)片晶圓。該項(xiàng)目2016年5月由合肥市政府旗下合肥產(chǎn)投與兆易創(chuàng)新共同出資組建。目前,項(xiàng)目已獲得工信部旗下檢測(cè)機(jī)構(gòu)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測(cè)報(bào)告。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官朱一明介紹,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)投產(chǎn)的8Gb DDR4通過(guò)了多個(gè)國(guó)內(nèi)外大客戶的驗(yàn)證,今年底正式交付,另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投
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長(zhǎng)鑫介紹

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