閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

東芝閃存工廠停電13分鐘 6000000TB硬盤沒了

東芝的5座NADN閃存工廠于當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月15日下午6點(diǎn)25分發(fā)生斷電事故，停電過程非常短，13分鐘之后就恢復(fù)供電了，有部分工廠恢復(fù)生產(chǎn)了，但Fab 2、Fab 3及Fab 4晶圓廠并沒有復(fù)工。
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國(guó)產(chǎn)90nm閃存量產(chǎn)：10萬次壽命 25年數(shù)據(jù)保存

中國(guó)每年進(jìn)口價(jià)值1000億美元的存儲(chǔ)芯片，NAND閃存及DRAM內(nèi)存都要依賴進(jìn)口，目前國(guó)產(chǎn)閃存芯片的希望就是紫光集團(tuán)在武漢及成都兩處各自投資240億美元的存儲(chǔ)器基地了，不過真正規(guī)模量產(chǎn)還需要一年甚至更長(zhǎng)時(shí)間。
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紫光2000億投資四川成都建3D閃存工廠：月產(chǎn)能將達(dá)30萬片

2018年中國(guó)進(jìn)口了3000多億美元的半導(dǎo)體芯片，其中存儲(chǔ)芯片占據(jù)了1/3也就是上千億美元，而且這部分芯片的國(guó)產(chǎn)率為0，國(guó)內(nèi)尚無公司能夠大規(guī)模量產(chǎn)閃存及內(nèi)存芯片。在閃存芯片上，紫光集團(tuán)位于武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)下半年量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，明年將研發(fā)128層堆棧的3D閃存。
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華為舉辦首屆閃存技術(shù)論壇，發(fā)布閃存創(chuàng)新理念

華為在北京舉辦了主題為“探討閃存未來發(fā)展之道，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)共贏”首屆華為閃存技術(shù)論壇，在業(yè)界首次提出面向應(yīng)用感知的存儲(chǔ)創(chuàng)新理念和未來SSD發(fā)展新形態(tài)。華為智能計(jì)算提出希望與廣大客戶、合作伙伴、Flash廠家、標(biāo)準(zhǔn)組織、高校、媒體等存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的上下游共聚，共同探討并引領(lǐng)閃存技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，持續(xù)提升應(yīng)用性能，滿足用戶需求。　　目前，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正發(fā)生著翻天覆地的變化，隨著閃存新技術(shù)的發(fā)展與廣泛應(yīng)用，閃存行業(yè)正面臨著新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)! 本次會(huì)議重點(diǎn)展現(xiàn)了自研SSD閃存技術(shù)和應(yīng)用研究，并借本次技術(shù)論壇活動(dòng)，為行業(yè)提供一個(gè)技術(shù)生
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要買的抓緊了內(nèi)存閃存年底可能要減產(chǎn)漲價(jià)

中關(guān)村在線消息：這近兩年以來的內(nèi)存和閃存價(jià)格都在下跌，做為我們消費(fèi)者自然是再高興不過了，但像美光這樣的廠商都有點(diǎn)扛不住了。據(jù)美光發(fā)布的最新季度財(cái)報(bào)，這家公司的營(yíng)收下滑了40%，凈利潤(rùn)更是暴跌78%，而其主要原因正是內(nèi)存閃存市場(chǎng)價(jià)格的下跌。對(duì)此，美光計(jì)劃在2020財(cái)年（也就是大約今年四季度）開始縮減資本支出，以減少內(nèi)存閃存的產(chǎn)能，希望借此改變市場(chǎng)供需關(guān)系。這就意味著，從今年四季度開始，內(nèi)存閃存的價(jià)格可能會(huì)有所上漲，反映到消費(fèi)市場(chǎng)自然就是我們買起來會(huì)貴了。所以如果有購買內(nèi)存閃存計(jì)劃的網(wǎng)友們，可以考慮提前準(zhǔn)備。
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想買SSD的現(xiàn)在該出手了 NAND報(bào)價(jià)預(yù)計(jì)將在Q2至Q3間止跌

NAND閃存的價(jià)格一跌再跌，2019年第一季度TLC閃存的晶圓合約價(jià)下跌了19~28%，eMMC/UFS類閃存合約價(jià)下跌了15~20%，消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤價(jià)格跌了17~31%，企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤跌了26~32%。即使現(xiàn)在SSD的價(jià)格已經(jīng)白菜價(jià)，但是也有人在想等它再跌些再買，那么或許現(xiàn)在該出手了。因?yàn)閾?jù)行業(yè)人士預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)NAND報(bào)價(jià)將在Q2至Q3間止跌。
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閃存價(jià)格暴跌四分之一東芝閃存部門Q1虧損2億美元

截至今年Q2季度，NAND閃存始于2018年Q1季度的降價(jià)已經(jīng)持續(xù)了6個(gè)季度，此舉導(dǎo)致NAND閃存均價(jià)大幅下滑，消費(fèi)者買大容量手機(jī)、SSD硬盤倒是便宜了很多，只不過上游的NAND供應(yīng)商業(yè)績(jī)就難看多了。
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Intel：NAND閃存不再新建廠傲騰轉(zhuǎn)向中國(guó)生產(chǎn)

NAND閃存持續(xù)供過于求，價(jià)格不斷走低，消費(fèi)者們很高興，廠商們很不爽，Intel就在近日的投資者大會(huì)上披露，可預(yù)期的未來內(nèi)也不會(huì)再建設(shè)新的閃存工廠。
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K Hynix出樣96層堆棧QLC閃存 16TB硬盤不是夢(mèng)

NAND閃存價(jià)格從2018年初到現(xiàn)在已經(jīng)連跌6個(gè)季度了，廠商一方面在削減產(chǎn)能以控制供需情況，另一方面也在加強(qiáng)低成本的NAND閃存開發(fā)，今年就會(huì)開始從TLC閃存向QLC閃存轉(zhuǎn)變。SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存，號(hào)稱是首個(gè)4D NAND閃存，今天該公司宣布正式出樣96層QLC閃存，核心容量1Tbit。
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產(chǎn)業(yè)高點(diǎn)已過，2019年閃存價(jià)格恐跌40%

　　CINNOResearch對(duì)閃存供應(yīng)商及其上下游供應(yīng)鏈調(diào)查顯示，在64層的3D-NAND良率更為成熟，需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)壓縮的情況下，NANDFlash行業(yè)供過于求的情況持續(xù)加劇，各家廠商以更為積極的降價(jià)來刺激出貨成長(zhǎng)，也因此第三季度閃存平均銷售單價(jià)普遍較第二季度下滑15-20%，而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關(guān)系，第三季成長(zhǎng)幅度來到20-25%，整體第三季閃存產(chǎn)值達(dá)到172億美元，季成長(zhǎng)約為5%，值得注意的是，也是近三年來在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
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提高3D NAND性能、可靠性和良率的考慮因素

　　前言　　多年來，全球的非易失存儲(chǔ)功能都仰仗于 NAND 閃存技術(shù)。其用途已經(jīng)從單純的閃存驅(qū)動(dòng)器擴(kuò)展到筆記本電腦、智能手機(jī)和平板電腦，如今又?jǐn)U展至云端存儲(chǔ)操作所需固態(tài)存儲(chǔ)記憶體。隨著時(shí)間的推移，結(jié)構(gòu)上的逐漸演進(jìn)已滿足對(duì)存儲(chǔ)容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求，而且此技術(shù)已經(jīng)驗(yàn)證，可提供高性能，低功耗，并和以前的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)相比，每存儲(chǔ)單位比特成本更低，其價(jià)值不言而喻?！　∽畛?，NAND 閃存制造商使用多重圖案化技術(shù)來縮小尺寸，從而增加存儲(chǔ)密度，降低相對(duì)應(yīng)成本。遺憾的是，2D 或平面 NAND 閃存
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貿(mào)澤9月新添300余新品

致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子 (MouserElectronics)，首要任務(wù)是提供來自全球700多家廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤2018年9月發(fā)布了超過302種新品，這些產(chǎn)品均可以當(dāng)天發(fā)貨。貿(mào)澤上月引入的部分產(chǎn)品包括：Micron串行NOR閃存 Micron串行NOR閃存具有先進(jìn)的接口和低引腳數(shù)，簡(jiǎn)單易用，是適用于代碼映射應(yīng)用的簡(jiǎn)單解決方案。先進(jìn)的安全技
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大容量時(shí)代：閃存市場(chǎng)競(jìng)逐5G機(jī)遇

　　5G時(shí)代的漸行漸近。對(duì)消費(fèi)群體而言，5G帶來的是高帶寬低延遲的使用效果;對(duì)于企業(yè)端尤其是閃存大廠來說，則是新的機(jī)遇。在近日舉行的“中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS20　　5G時(shí)代的漸行漸近?！　?duì)消費(fèi)群體而言，5G帶來的是高帶寬低延遲的使用效果;對(duì)于企業(yè)端尤其是閃存大廠來說，則是新的機(jī)遇。　　在近日舉行的“中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS2018)”上，中國(guó)閃存市場(chǎng)總經(jīng)理邰煒表示，2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1500億美元，其中NANDFlash(閃存存儲(chǔ)器)將超過570億美元，而中國(guó)消耗了全球產(chǎn)能的32%，
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NAND閃存大科普

　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣?。　　固態(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機(jī)數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺(tái)管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對(duì)于在內(nèi)部存儲(chǔ)器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì)表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降。　　隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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詳解Flash存儲(chǔ)器閃存工作原理及具體步驟

什么是閃存?了解閃存最好的方式就是從它的ldquo;出生rdquo;它的ldquo;組成rdquo;均研究的透徹底底的。閃存的存儲(chǔ)單元為三端器件，與場(chǎng)效應(yīng)管有相同
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]