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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 降低開(kāi)關(guān)損耗

東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳封裝

  • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產(chǎn)品于今日開(kāi)始批量出貨。新產(chǎn)品是東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品，其封裝支持柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)源極端使用開(kāi)爾文連接，有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影
  • 關(guān)鍵字： 東芝  碳化硅MOSFET  降低開(kāi)關(guān)損耗  
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降低開(kāi)關(guān)損耗介紹

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