首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管

高驅(qū)動(dòng)電流的隧穿器件設(shè)計(jì)

  • 　　陳玉翔（電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院??四川??成都??610054）　　摘?要：隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）由于其獨(dú)特的帶帶隧穿原理而成為超低功耗設(shè)計(jì)中有力的候選者。傳統(tǒng)MOSFET在室溫下的亞閾值擺幅因載流子漂移擴(kuò)散工作原理而高于60 mV/dec；而基于量子隧道效應(yīng)的隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其亞閾值斜率可以突破MOSFET器件的亞閾值擺幅理論極限，并且具有極低的關(guān)態(tài)泄漏電流。本文提出了一種異質(zhì)結(jié)縱向隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管，用以改善器件導(dǎo)通電流和亞閾值特性，改進(jìn)后的器件開態(tài)電流由36 μA/μm增加到92
  • 關(guān)鍵字： 202006  隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管  帶帶隧穿  異質(zhì)結(jié)  開態(tài)電流  

高驅(qū)動(dòng)電流的隧穿器件設(shè)計(jì)

  • 隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）由于其獨(dú)特的帶帶隧穿原理而成為超低功耗設(shè)計(jì)中有力的候選者。傳統(tǒng)MOSFET在室溫下的亞閾值擺幅因載流子漂移擴(kuò)散工作原理而高于60mV/dec；而基于量子隧道效應(yīng)的隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其亞閾值斜率可以突破MOSFET器件的亞閾值擺幅理論極限，并且具有極低的關(guān)態(tài)泄漏電流。本文提出了一種異質(zhì)結(jié)縱向隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管，用以改善器件導(dǎo)通電流和亞閾值特性，改進(jìn)后的器件開態(tài)電流由36μA/μm增加到92μA/μm，平均亞閾值擺幅從32mV/dec降低到15mV/dec。
  • 關(guān)鍵字： 隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管  帶帶隧穿  異質(zhì)結(jié)  開態(tài)電流  
共2條 1/1 1

隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管的理解，并與今后在此搜索隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473