高密度半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入高密度半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

北大張志勇-彭練矛課題組在用于高性能電子學(xué)的高密度半導(dǎo)體陣列碳納米管研究中取得重要進(jìn)展

• 集成電路的發(fā)展要求互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）晶體管在持續(xù)縮減尺寸的同時(shí)提升性能，降低功耗。隨著主流CMOS集成電路縮減到亞10 nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，采用新結(jié)構(gòu)或新材料對抗場效應(yīng)晶體管中的短溝道效應(yīng)、進(jìn)一步提升器件能量利用效率變得愈加重要。在諸多新型半導(dǎo)體材料中，半導(dǎo)體碳納米管具有超高的電子和空穴遷移率、原子尺度的厚度和穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，是構(gòu)建高性能CMOS器件的理想溝道材料。已公開的理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)結(jié)果均表明，碳管CMOS晶體管采用平面結(jié)構(gòu)即可縮減到5nm柵長，且較同等柵長的硅基CMOS器件具有10倍的本征性能-
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