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美媒：內(nèi)存大廠美光 準備進軍LED與太陽能領(lǐng)域

  • 　　根據(jù)《埃達荷政治家報》網(wǎng)站報導(dǎo)，DRAM大廠Micron Technology正對外尋求資金以擴展 LED制造業(yè)務(wù)，且同時考慮生產(chǎn)太陽能板。 　　美國埃達荷州政府看好Micron的未來表現(xiàn)，亦積極向美國能源部申請，由該州能源資源局撥款500萬美元。 　　由于DRAM業(yè)務(wù)虧損連連，Micron索性裁員并關(guān)閉部份產(chǎn)線，連閃存部門也分拆出去與 Intel(英特爾) 共組合資企業(yè)IM Flash Technologies LLC。 　　有意改變營運重心的Micron，逐漸將眼光放在技術(shù)水準類似，獲利卻更
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海力士、LG、三星和Silicon Image建立下一代內(nèi)存接口技術(shù)規(guī)范

  • 　　海力士半導(dǎo)體公司(Hynix Semiconductor, Inc.，other-otc:HXSCF)、LG Electronics (KRX:066570)、三星電子株式會社(other-otc:SSNLF) 和Silicon Image公司日前宣布組成一個行業(yè)聯(lián)盟，推廣串行端口內(nèi)存技術(shù)(SPMT?)在市場的應(yīng)用，努力使之成為行業(yè)標準。作為首個針對動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的內(nèi)存規(guī)范，SPMT將首先把目光對準手機市場，推動產(chǎn)生能夠運行數(shù)據(jù)高度密集的富媒體應(yīng)用、同時電池壽命更長的新一代移動設(shè)備。 　
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Gartner：Q1內(nèi)存銷售同比降41% 三星表現(xiàn)最好

  • 　　據(jù)市場研究公司Gartner本周一發(fā)表的初步統(tǒng)計數(shù)字顯示，全球DRAM內(nèi)存行業(yè)今年第一季度繼續(xù)萎縮，銷售收入下降到了8年以來的最低的并且繼續(xù)增加虧損。 　　Gartner稱，今年第一季度全球DRAM內(nèi)存行業(yè)的銷售收入是35.7億美元，同比下降了41%，是2001年第四季度以來銷售收入最低的。第一季度的數(shù)字還顯示比去年第四季度43.8億美元的銷售收入減少了18%。 　　DRAM內(nèi)存行業(yè)的下降是從兩年前開始的，過多地建設(shè)工廠導(dǎo)致了內(nèi)存芯片過剩。全球經(jīng)濟衰退減少了內(nèi)存芯片向PC的銷售進一步損害了DRAM
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DRAM廠走出悲情　無薪假進入尾聲

  • 　　DRAM產(chǎn)業(yè)的春天逐漸來臨，臺系DRAM廠包括力晶、南亞科、華亞科等將逐漸縮短員工無薪假，力晶從5月底開始，無薪假由塬本8天縮短為4天;南亞科除12吋廠因轉(zhuǎn)換制程之故，部分生產(chǎn)線人員未能如期歸隊，內(nèi)部評估將提早結(jié)束這波無薪假;華亞科亦表示，已減少休無薪假的員工數(shù)和天數(shù)，逐漸增加12吋廠投片量。顯示近期DRAM價格上揚，對于搖搖欲墜的DRAM產(chǎn)業(yè)果然是一帖特效藥! 　　隨著晶圓代工、面板廠紛取消無薪假，這次終于輪到DRAM廠，力晶、南亞科、華亞科都將陸續(xù)縮短無薪假的天數(shù)，將大部分員工召回公司上班，目前
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三星預(yù)估DRAM增長10-15% 分析師稱過于保守

  • 　　韓國電子公司三星宣布，預(yù)估今年DRAM出貨量將增長10-15%，而NAND閃存出貨則估計上漲25-30%。 　　三星高層曾在 4月表示，預(yù)估廣泛用于個人電腦的DRAM芯片，在今(2009)年出貨量將有10%-15%的增長，由去年10月的預(yù)估值降下來。 　　在互聯(lián)網(wǎng)上公開的簡報文件顯示，三星也預(yù)期專用于消費性電子設(shè)備的NAND，今年出貨將增長25-30%。 　　三星近兩年來經(jīng)歷了嚴酷的低迷時期，而在大量減產(chǎn)調(diào)整庫存后，今年經(jīng)濟情況才開始有起色。 　　盡管三星對于生產(chǎn)過剩的風險相當謹慎，分析師卻對
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春燕歸 Q2封裝產(chǎn)能拉至85％

  • 　　今年第一季封裝測試大廠賠多賺少，力成(6239)以每股稅后純益1.31元，穩(wěn)居類股每股盈余獲利王，力成董事長蔡篤恭與國內(nèi)存儲器顆粒廠熟識，內(nèi)存廠面對去年以來景氣嚴苛沖擊，各家財務(wù)狀況也面對有史以來最大挑戰(zhàn)，然在生死存亡之際，蔡篤恭認為，下半年主流顆粒價格將有機會挑戰(zhàn)每顆1.5美元，一線大廠有機會挑戰(zhàn)獲利。 　　大廠減產(chǎn)DRAM再跌不易 　　從第一季底開始，DRAM現(xiàn)貨價、合約價呈現(xiàn)大幅上揚走勢，目前已經(jīng)達每顆1.3美元之上，創(chuàng)下今年度以來新高紀錄，根據(jù)蔡篤恭的預(yù)估，一線廠商三星電子、爾必達、海力士
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第一季度DRAM廠商排名出爐 Micron重獲第三

  • 　　今年第一季度，美國存儲器制造商Micron Technology重返全球DRAM市場份額三甲行列。 　　iSuppli存儲IC首席分析師Nam Hyung Kim指出，第一季度Micron超過日本Elpida重獲DRAM市場第三名的位置。 　　第一季度DRAM銷售額為4.84億美元，同比減少28%，Micron市場份額為14.6%，較去年第四季度的13.8%有所增長。 　　韓國Samsung和Hynix分列第一第二位。Samsung市場份額創(chuàng)紀錄地達到34.3%，去年第四季度為30%，Hynix
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尹啟銘：TMC投入多少等計劃書才能確定

  • 　　DRAM價格走揚，讓DRAM產(chǎn)業(yè)景氣似乎有回溫跡象，不過，臺灣“經(jīng)濟部長”尹啟銘認為，臺灣當局還是會繼續(xù)推動TMC的成立。他說，TMC沒有產(chǎn)能，著重的是技術(shù)研發(fā)，這是目前臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)比較欠缺的部分，至于要投入多少資金，尹啟銘說，要等營運計劃書完成后，才能確定。 　　DRAM近來現(xiàn)貨價格走揚，上游芯片廠四月營收同步成長，一般預(yù)料這將有助業(yè)者營收表現(xiàn)。有人質(zhì)疑，如此一來，臺當局原本打算成立的臺灣內(nèi)存公司(TMC)，現(xiàn)在是否已經(jīng)沒有繼續(xù)推動的必要，對此，臺灣“經(jīng)濟部
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DRAM業(yè)自救　臺塑砸百億新臺幣

  • 　　DRAM產(chǎn)業(yè)面對臺灣存儲器公司(TMC)成立，已逐漸接受當前事實，尤其現(xiàn)階段資金問題仍相當窘迫，各家DRAM廠都開始展開自救運動。存儲器業(yè)者透露，臺塑集團已撥款逾新臺幣100億元，力挺旗下南亞科和華亞科，宣示力拼DRAM產(chǎn)業(yè)決心;力晶除出售手上瑞晶持股給爾必達(Elpida)，亦傳出12寸晶圓廠有停工計畫;至于茂德中科廠考慮作1個月休1個月。不過，各DRAM廠對于上述說法均不予證實，力晶董事長黃崇仁則表示，只是依季節(jié)性作調(diào)整，依照目前DRAM現(xiàn)貨價格決定投片多少。 　　臺DRAM廠對于政府整合產(chǎn)業(yè)結(jié)
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DRAM廠不整并 2、3年后仍會出問題

  • 　　臺灣內(nèi)存公司(TMC)成立過程峰回路轉(zhuǎn)，力成董事長蔡篤恭對TMC持中立態(tài)度，如果政府覺得DRAM產(chǎn)業(yè)重要，就該救，只是如何救變成見仁見智。蔡篤恭認為，臺面上的DRAM廠應(yīng)想辦法以整合方式存活下來，一旦DRAM廠倒閉歸零，就很難再回來了! 　　蔡篤恭說，隨著DRAM報價回升，產(chǎn)業(yè)整并已經(jīng)錯過最好的時機，但是如果不在這一波整合，過了2年至3年之后，會再面臨相同問題，他認為，DRAM廠應(yīng)該拋去過去包袱，忘記過去，也許本來有10分，整合之后降至2分，但是放眼未來，DRAM廠還有機會從2分回升至5分、6分，反
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Hynix成功研發(fā)世界最高性能移動DRAM

  • 　　韓聯(lián)社4月27日電稱，Hynix(海力士)半導(dǎo)體成功研發(fā)采用54納米技術(shù)的世界最高性能的1Gb移動低電雙倍速率(LPDDR2)動態(tài)隨機存儲器(DRAM)產(chǎn)品。Hynix表示，該產(chǎn)品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低電壓下實現(xiàn)1066Mbps超高速數(shù)據(jù)傳輸速度的移動DRAM，在工藝技術(shù)、電壓、速度方面具備世界最高性能。 　　據(jù)介紹，該產(chǎn)品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低電壓下工作，接近于現(xiàn)有的1.8伏移動DRAM的50%，并且僅為PC DDR2產(chǎn)品的30%。這意味著，1秒內(nèi)下載5、6部普通長度的
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DDR2時代終結(jié)？三星啟動DDR3交替計劃

  • 　　三星近日宣布，將全力推動DDR3的普及。由于2GB容量DDR3與DDR2模組差價模已拉近至1美元，近期三星鎖定部分一線大客戶，利用DDR3與DDR2的差價策略，鼓勵PC用戶積極采購DDR3平臺。 　　三星力推DDR3與DDR2無價差策略 　　DRAM廠表示，三星規(guī)劃DDR3交替腳步相當積極，多次出面力挺DDR3時代將來臨，使得其他DRAM廠包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、爾必達(Elpida)等，對于加快腳步導(dǎo)入DDR3，亦顯得興致高昂。不過，近期三星對于DDR3價格殺傷力極大，恐
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傳TMC研發(fā)中心花落聯(lián)電 可望擴大聯(lián)電營運版圖

  • 　　臺灣內(nèi)存公司(TMC)投資計劃書已正式送交臺灣“經(jīng)濟部工業(yè)局”!根據(jù)業(yè)者由日本爾必達及通產(chǎn)省所獲知的消息指稱，TMC的制造中心將鎖定瑞晶，研發(fā)中心將結(jié)合聯(lián)電研發(fā)資源。 　　對此，聯(lián)電高階主管表示毫不知情;“經(jīng)濟部”工業(yè)局對此說法予以否認。 　　業(yè)界盛傳，TMC研發(fā)中心若能進一步與聯(lián)電結(jié)果，搭配放寬晶圓廠赴大陸投資規(guī)定，讓聯(lián)電與大陸和艦合并案成形，聯(lián)電集團營運版圖將大幅擴大。而瑞晶將成為TMC最大生產(chǎn)基地。 　　對此傳言，力晶董事長黃崇仁表示，力晶持
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減產(chǎn)帶動市況好轉(zhuǎn) DRAM供過于求隱憂未除

  • 　　制造廠大規(guī)模減產(chǎn)，帶動DRAM市況逐步好轉(zhuǎn)，再加上日、韓政府有意紓困DRAM產(chǎn)業(yè)，這使臺灣TMC推動產(chǎn)業(yè)技術(shù)扎根計劃增加難度。不過，全球DRAM產(chǎn)業(yè)仍無法擺脫供過于求隱憂。 　　DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展與TMC未來走向再度受到外界注目。 　　動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)廠近來紛紛減產(chǎn)自救，并已略具成效。另外，日本及韓國政府也有意對DRAM廠紓困，讓臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)扎根難度大增，政府聯(lián)美、日抗韓的夢想是否因而幻滅也備受關(guān)注。 　　全球DRAM廠于2006年大規(guī)模擴產(chǎn)，造成市場嚴重供過于求，讓DRAM產(chǎn)
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坂本幸雄：DRAM市場將成臺日抗韓局勢

  • 　　全球第三的日本DRAM大廠爾必達執(zhí)行長坂本幸雄表示，DRAM市場將成臺日聯(lián)手抗韓的局勢，爾必達將申請約新臺幣173億元的日本政府紓困金。 　　坂本幸雄接受日本“讀賣新聞”專訪時表示，DRAM對產(chǎn)業(yè)的影響極大，希望盡早申請政府紓困金以增強資本。他透露，下個月7日將申請規(guī)模約500億日圓(約新臺幣173億)的政府紓困金。 　　日本國會22日已通過產(chǎn)業(yè)再生法修正案，基于這項修法，接受政府紓困金的企業(yè)必須接受在3年內(nèi)改善業(yè)績等的條件。 　　坂本幸雄受訪時說：“綜觀全球
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