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英特爾ARM之戰(zhàn)：硅谷巨無霸對決劍橋蠻荒者

  • 　　彭博商業(yè)周刊近日評論稱，英特爾X86架構(gòu)以超強(qiáng)的運(yùn)算能力在計(jì)算領(lǐng)域占據(jù)統(tǒng)治地位，ARM架構(gòu)計(jì)算能力稍弱但解決了功耗問題，成為通信領(lǐng)域主流架構(gòu)，幾年內(nèi)英特爾與ARM在計(jì)算與通信領(lǐng)域分河而治。 　　但隨著智能手機(jī)和平板電腦市場越來越壯大，雙方都不甘心固守邊界。今年英特爾攜雷霆之勢大舉進(jìn)軍移動(dòng)市場，意圖挑戰(zhàn)ARM的統(tǒng)治地位。而ARM也一改PC領(lǐng)域“悄悄打槍”的作風(fēng)，在今年10月推出了兩款64位處理器，高調(diào)進(jìn)軍服務(wù)器市場。 　　2012年，雙方都越過了傳統(tǒng)的邊界。英特爾希望將PC服
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臺(tái)積電工藝加速 16nm工藝年內(nèi)試產(chǎn)

  • 　　隨著移動(dòng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，業(yè)界對更高的半導(dǎo)體制程的需求再度進(jìn)入了一個(gè)高速發(fā)展的階段。作為全球半導(dǎo)體代工市場的老大，臺(tái)積電的工藝發(fā)展情況關(guān)系到眾多合作廠商的產(chǎn)品，因此臺(tái)積電的一舉一動(dòng)也頗受關(guān)注。日前，臺(tái)積電宣布已經(jīng)決定將16nmFinFET工藝的試產(chǎn)時(shí)間從2014年提前到2013年底，并且希望能在2015年底用極紫外光刻技術(shù)制造10nm的芯片。 　　在年初舉行的半導(dǎo)體大會(huì)上，臺(tái)積電就展示了其FinFET工藝晶圓，不過當(dāng)時(shí)臺(tái)積電并沒有透露FinFET工藝計(jì)劃將提前。 　　臺(tái)積電首席技術(shù)官孫元成(JackSu
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性能提升90% 臺(tái)積電16nm工藝芯片明年上馬

  • 　　在芯片技術(shù)突飛猛進(jìn)的當(dāng)下，所有的芯片廠商都在不遺余力的改進(jìn)自身的產(chǎn)品工藝，臺(tái)積電已經(jīng)決定將16nmFinFET工藝的試產(chǎn)時(shí)間從2014年提前到2013年底，甚至還希望10nm的芯片能在2015年底用極紫外光刻技術(shù)制造。GlobalFoundries、三星電子這兩家代工廠也都已經(jīng)宣布很快就會(huì)上馬FinFET立體晶體管技術(shù)。 　　只要試產(chǎn)的良品率過關(guān)，臺(tái)積電量產(chǎn)16nm的計(jì)劃估計(jì)最早會(huì)在明年年中實(shí)現(xiàn)。臺(tái)積電首席技術(shù)官孫元成(JackSun)日前表示：“我們對16nmFinFET工藝在明年的黃
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