200909 文章 進(jìn)入200909技術(shù)社區(qū)
飛思卡爾半導(dǎo)體面向上網(wǎng)本市場
- 根據(jù)分析公司ABI Research的調(diào)查,2013年上網(wǎng)本的銷量預(yù)計(jì)將會達(dá)到1.4億臺,而2008年的這一數(shù)字僅為1500萬臺。上網(wǎng)本的價(jià)格通常在300美元至400美元之間,是精簡的嵌入式器件,對于很多基于互聯(lián)網(wǎng)的活動,像社交、網(wǎng)上沖浪、瀏覽電子郵件及其他常見任務(wù),它的性能綽綽有余。 飛思卡爾半導(dǎo)體專為上網(wǎng)本而設(shè)計(jì)的綜合解決方案進(jìn)軍快速增長的上網(wǎng)本市場,借助飛思卡爾的解決方案,售價(jià)不到200美元的上網(wǎng)本帶有8.9英寸顯示屏,電池續(xù)航時(shí)間可達(dá)8小時(shí)。 飛思卡爾解決方案基于內(nèi)置ARM Cor
- 關(guān)鍵字: 飛思卡爾 Cortex i.MX515 上網(wǎng)本 200909
基于Actel FPGA的PWM IP的應(yīng)用
- 脈沖寬度調(diào)制(PWM)是英文“Pluse Width Modulation”的縮寫,簡稱脈寬調(diào)制。它是利用微處理器的數(shù)字輸出來對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù),根據(jù)相應(yīng)的載荷的變化來調(diào)制晶體管柵極或基極的偏置,來實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出晶體管或晶體管導(dǎo)通時(shí)間的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定,廣泛應(yīng)用于測量、通信、功率控制與變化等許多領(lǐng)域。 Actel公司免費(fèi)提供PWM IP核:CorePWM。CorePWM是基于APB總線形式的,它的優(yōu)點(diǎn)是可以
- 關(guān)鍵字: Actel FPGA PWM IP 200909
效率度量指標(biāo)的未來發(fā)展
- 很多時(shí)候,一個(gè)具有較好功率值的設(shè)備表面看來會比另外一個(gè)更好,但設(shè)計(jì)人員經(jīng)常忽略了選擇較好功率值的代價(jià),而這些代價(jià)初期并不明顯。將能效/功率指標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)化可有效地解決這些問題,而隨著工程師更看重如何降低系統(tǒng)的功耗,將度量指標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)化也顯得越來越重要。 例如,當(dāng)您的競爭對手拿您的最高端及最高性能的產(chǎn)品跟他最低端的產(chǎn)品進(jìn)行比較,他們的產(chǎn)品當(dāng)然是功耗更低。所以能效的標(biāo)準(zhǔn)度量是很重要的,尤其對于復(fù)雜的功能而言。 宏觀層面 讓我們先從宏觀的角度觀察和考量一個(gè)典型的系統(tǒng)的度量指標(biāo)。數(shù)據(jù)處理中心內(nèi)的設(shè)備按
- 關(guān)鍵字: NS PowerWise 能源 200909
華中科大獲微軟“創(chuàng)新杯”佳績
- 2009年7月上旬,來自世界各地的選手在埃及激烈角逐,最后微軟宣布今年“創(chuàng)新杯”(Imagine Cup)大賽的結(jié)果:代表韓國和中國參賽的Wafree隊(duì)和iSee隊(duì)從100多個(gè)國家和地區(qū)的30萬余名學(xué)生中脫穎而出,分別奪得2009年嵌入式開發(fā)項(xiàng)目的冠、亞軍。 微軟Windows Embedded亞太及大中華區(qū)市場總監(jiān)John Boladian(彭家安)介紹道,在本屆大賽上,韓國Wafree隊(duì)和中國iSee 隊(duì)都在比賽中展示出了卓越的能力及創(chuàng)造力。 韓國的Wafr
- 關(guān)鍵字: 創(chuàng)新 X86 華中科大 200909
關(guān)于V系列F-RAM的技術(shù)說明
- 全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation的兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品,分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設(shè)接口(SPI)的FM25V02。兩款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產(chǎn)品的最新型號,工作電壓范圍為2.0V至3.6V,采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8腳SOIC封裝,具有快速訪問、無延遲(NoDelay)寫入、幾
- 關(guān)鍵字: Ramtron F-RAM FM24V02 FM25V02 200909
使用普通I/O口實(shí)現(xiàn)電容觸摸感應(yīng)方案
- 觸摸感應(yīng)解決方案受到越來越多的IC設(shè)計(jì)廠家的關(guān)注,不斷有新的技術(shù)和IC面世,國內(nèi)的公司也紛紛上馬類似方案。但是目前所有的觸摸解決方案都使用專用IC,因而開發(fā)成本高,難度大,而本文介紹的基于RC充電檢測(RC Acquisition)的方案可以在任何MCU上實(shí)現(xiàn),是觸摸感應(yīng)技術(shù)領(lǐng)域革命性的突破。 RC充電檢測基本原理 RC充電檢測基本原理是對使用如PCB的電極式電容的充電放電時(shí)間進(jìn)行測量,通過比較在人體接觸時(shí)產(chǎn)生的微小變化來檢測是否有“按下”動作產(chǎn)生,可選用于任何單獨(dú)
- 關(guān)鍵字: Cypress PCB設(shè)計(jì) 觸摸感應(yīng) STM8S Capsense 200909
基于AT91SAM7L的極低功耗系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 影響系統(tǒng)功耗的主要因素 對于一個(gè)數(shù)字系統(tǒng)而言,其功耗大致滿足以下公式:P=CV2f,其中C為系統(tǒng)的負(fù)載電容,V為電源電壓,f為系統(tǒng)工作頻率。由此可見,功耗與電源電壓的平方成正比,因此電源電壓對系統(tǒng)的功耗影響最大,其次是工作頻率,再就是負(fù)載電容。負(fù)載電容對設(shè)計(jì)人員而言,一般是不可控的,因此設(shè)計(jì)一個(gè)低功耗系統(tǒng),應(yīng)該考慮在不影響系統(tǒng)性能的前提下,盡可能地降低電源的電壓和使用低頻率的時(shí)鐘。下面對ATMEL公司的AT91SAM7L來具體探討這個(gè)問題。 基于AT91SAM7L的極低功耗系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 關(guān)鍵字: ATMEL RISC 控制器 AT91SAM7L 200909
最新血氧儀低功耗設(shè)計(jì)方案
- 下面介紹一個(gè)以Microchip MCU與Intersil的模擬器件為主的血氧儀的低功耗設(shè)計(jì)方案。血氧儀用來測量血氧飽和度的電子設(shè)備,血氧飽和度是血液中被氧結(jié)合的氧合血經(jīng)蛋白(HbO2)的容量占全部可結(jié)合的血紅蛋白(Hb)容量的百分比,即血液中血氧的濃度,它是用于表征呼吸循環(huán)的重要生理參數(shù),正常人體動脈血氧飽和度為98%。本方案采用光電傳感器測量,利用人體的血紅蛋白對660nm的紅光和940nm的近紅外光的吸收率不一樣,測定通過手指(或耳垂等)光傳導(dǎo)強(qiáng)度,再通過軟件計(jì)算并得出血氧飽和度。 整
- 關(guān)鍵字: Intersil MCU X95820 nanoWatt XLP 200909
MCU的特點(diǎn)及發(fā)展戰(zhàn)略探討
- 近日,英飛凌科技的亞太區(qū)市場部高級經(jīng)理黃志鴻向本刊介紹了MCU的特點(diǎn)及該公司的發(fā)展戰(zhàn)略。 MCU當(dāng)前的趨勢 根據(jù)用途不同,可以將MCU的目標(biāo)市場劃分為如下幾大細(xì)分市場:消費(fèi)、家用電器、工業(yè)和汽車。不同細(xì)分市場的側(cè)重點(diǎn)也不同(見表1)。 值得注意的是,很多過去用于工業(yè)市場的技術(shù)正被移植到家用電器中。例如感應(yīng)加熱和變頻驅(qū)動。 現(xiàn)代MCU面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展趨勢可以簡要地歸納為:成本優(yōu)化、性能提高和易于使用。 首先,MCU成本和系統(tǒng)綜合成本的持續(xù)下降,使它們得以被用于成本敏感型
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 MCU RTSC A/D轉(zhuǎn)換器 200909
數(shù)碼相機(jī)影像處理部分設(shè)計(jì)分析
- 本文研究了數(shù)碼相機(jī)影像處理部分硬件的設(shè)計(jì)﹐給出了實(shí)際的CCD/CDS/TG/DSP的設(shè)計(jì)電路﹐并針對具體發(fā)生的一些問題給出了有效的解決方法。本設(shè)計(jì)經(jīng)實(shí)際應(yīng)用﹐各方面均達(dá)到設(shè)計(jì)要求﹐可以完全正常工作。
- 關(guān)鍵字: DSP數(shù)字處理器 CCD 光電耦合器 CDS關(guān)聯(lián)雙倍取樣器 TG時(shí)序發(fā)生器 AFE模擬前端 200909
40nm工藝帶來全新競爭力
- 全球能源問題的集中爆發(fā),讓半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展不再僅僅追求性能的提升,而是要綜合考慮性能、功耗與成本的平衡點(diǎn)。與眾多先進(jìn)電源管理方案實(shí)現(xiàn)降低系統(tǒng)功耗相比,制程工藝的進(jìn)步才是提升性能和降低功耗最根本的辦法,轉(zhuǎn)向更高制程無疑是提升半導(dǎo)體產(chǎn)品性能功耗比和市場競爭力最直接有效的辦法。 市場研究機(jī)構(gòu)Gartner Dataquest產(chǎn)業(yè)分析師Kay-Yang Tan表示,過去數(shù)十年來,集成器件制造商(IDM)在工藝技術(shù)及服務(wù)的創(chuàng)新方面扮演領(lǐng)航者的角色,未來也將繼續(xù)在新一代產(chǎn)品的開發(fā)上扮演重要的角色。同時(shí),專業(yè)
- 關(guān)鍵字: 臺積電 DRAM 40nm 45nm 200909
200909介紹
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