首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 32gb ddr5

DDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來(lái)了：頻率、帶寬提升，功耗降低

  • 去年下半年開(kāi)始，使用 LPDDR5 內(nèi)存的手機(jī)陸續(xù)發(fā)布。雖然用于電腦的 DDR5 內(nèi)存與用于手機(jī)的 LPDDR5 并不相同，但這也讓許多 DIY 玩家期待 DDR5 內(nèi)存的到來(lái)，那么它今天真的來(lái)了。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)最初計(jì)劃在 2018 年公布 DDR5 SDRAM 最終規(guī)范，但是很顯然跳票了。兩年后的今天，新規(guī)范正式公布，同時(shí)各大內(nèi)存廠商也表示基于新規(guī)范的內(nèi)存產(chǎn)品最快年內(nèi)就能進(jìn)行量產(chǎn)，不過(guò)一開(kāi)始會(huì)用在服務(wù)器上，后來(lái)才是家用 PC 以及其他設(shè)備。本次的新標(biāo)準(zhǔn)主要提升了內(nèi)存密度和頻率，其中
  • 關(guān)鍵字： DDR5  內(nèi)存  

Intel拍胸脯：DDR5、PCIe 5.0明年見(jiàn)！

  • 因?yàn)榉N種原因,Intel的產(chǎn)品規(guī)劃這兩年調(diào)整非常頻繁,路線圖經(jīng)常出現(xiàn)變動(dòng),無(wú)論是消費(fèi)級(jí)還是企業(yè)級(jí)。在近日與投資者溝通時(shí),Intel公關(guān)總監(jiān)Trey Campbell就保證說(shuō),將在今年第二季度末(最遲至6月底)發(fā)布代號(hào)Ice Lake-SP的下一代至強(qiáng)服務(wù)器平臺(tái),明年某個(gè)時(shí)候則會(huì)帶來(lái)Sapphire Rapids。Ice Lake-SP將采用和移動(dòng)端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工藝、Sunny Cove CPU架構(gòu),并更換新的LGA4189封裝接口,核心數(shù)量和頻率暫時(shí)不詳(據(jù)說(shuō)最多38核心),
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  CPU處理器  服務(wù)器  DDR5  至強(qiáng)  PCIe 5.0  Sapphire Rapids  

SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范：頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)

  • 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國(guó)SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會(huì)從4800MHz出貨)、最高可達(dá)8400MHz(時(shí)序瑟瑟發(fā)抖……)。核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說(shuō),DDR5時(shí)代單條內(nèi)存最大可到128GB。其它參數(shù)也均有明顯改進(jìn),兩個(gè)關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和VPP分別從1.2V、2.5V將至1.1V、1.8V,可進(jìn)一步緩解
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  SK海力士  DDR5  

SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范：頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)

  •        盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國(guó)SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾?！　『?jiǎn)單來(lái)說(shuō)，DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳（廠商一般都會(huì)從4800MHz出貨）、最高可達(dá)8400MHz（時(shí)序瑟瑟發(fā)抖……）?！　『诵娜萘棵芏确矫?，SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇，也就是說(shuō)，DDR5時(shí)代單條內(nèi)存最大可到128GB。　　其它參數(shù)也均有明顯改進(jìn)，兩個(gè)關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  DDR5  內(nèi)存  

Intel、AMD推遲支持：DDR5內(nèi)存明年殺到

  • 據(jù)外媒報(bào)道稱,由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)了。三星方面也已經(jīng)表示,2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,并且使用EUV工藝,制作將會(huì)在韓國(guó)平澤的新工廠進(jìn)行,三星同時(shí)宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內(nèi)存已經(jīng)出貨了100萬(wàn)。三星表示EUV技術(shù)減少了光刻中多次曝光的重復(fù)步驟,并提高了光刻的準(zhǔn)確度,從而提高性能、提高產(chǎn)量,并縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間。三星估計(jì),使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存,其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會(huì)比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍。據(jù)悉,三星第四代10nm
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  內(nèi)存  GDDR5  DDR5  

中國(guó)芯片工廠停擺、DDR5延期？美光辟謠：一切正常

  • 韓媒報(bào)道稱美國(guó)美光公司在中國(guó)地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴(yán)重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過(guò)美光方面否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道。最近的疫情危機(jī)不僅影響了很多的生活,更重要的是導(dǎo)致一些工廠不能正常開(kāi)工。韓國(guó)媒體報(bào)道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國(guó)地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國(guó)區(qū)目前已經(jīng)開(kāi)始恢復(fù)生產(chǎn),但是臨時(shí)中斷產(chǎn)線已經(jīng)帶來(lái)嚴(yán)重?fù)p失,還推遲了DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計(jì)劃,對(duì)客戶的供貨也會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。針對(duì)這些報(bào)道,美光公司下午發(fā)表聲明否認(rèn),聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國(guó)際性新冠
  • 關(guān)鍵字： 美光  內(nèi)存  DDR5  

中國(guó)芯片工廠停擺、DDR5延期？美光辟謠：一切正常

  • 韓媒報(bào)道稱美國(guó)美光公司在中國(guó)地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴(yán)重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過(guò)美光方面否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道。最近的疫情危機(jī)不僅影響了很多的生活,更重要的是導(dǎo)致一些工廠不能正常開(kāi)工。韓國(guó)媒體報(bào)道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國(guó)地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國(guó)區(qū)目前已經(jīng)開(kāi)始恢復(fù)生產(chǎn),但是臨時(shí)中斷產(chǎn)線已經(jīng)帶來(lái)嚴(yán)重?fù)p失,還推遲了DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計(jì)劃,對(duì)客戶的供貨也會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。針對(duì)這些報(bào)道,美光公司下午發(fā)表聲明否認(rèn),聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國(guó)際性新冠
  • 關(guān)鍵字： DDR5  美光  

美光交付全球首款量產(chǎn)的LPDDR5芯片

  • 美光科技近日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM 芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)。
  • 關(guān)鍵字： 美光科技  DDR5 DRAM 芯片  

美光出樣DDR5內(nèi)存：1Znm工藝、性能提升85%

  • 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開(kāi)始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時(shí)每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝
  • 關(guān)鍵字： 美光  內(nèi)存  DDR5  

Intel開(kāi)始出貨10nm Agilex FPGA：DDR5、PCIe 5.0

  • Intel 10nm工藝雖然有些姍姍來(lái)遲，但是布局深廣，包括面向筆記本和服務(wù)器的Ice Lake、3D立體封裝的Lakefield、面向5G基礎(chǔ)設(shè)施的Snow Ridge，還有一款全新的FPGA。
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  10nm  DDR5  FPGA  PCIe 5.0  

海盜船推出首款32G單條內(nèi)存 約人民幣1000元

  • 據(jù)外媒報(bào)道，海盜船已經(jīng)推出第一款32GB單條內(nèi)存，售價(jià)149美元起，約合人民幣1000元。
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  海盜船  32GB  

美光正在為DDR5擴(kuò)大產(chǎn)能 并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)工藝技術(shù)

  • 在近日與投資者和金融分析師召開(kāi)的收益電話會(huì)議上，美光對(duì)其長(zhǎng)期未來(lái)及對(duì)其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求表示了信心，該公司還概述了擴(kuò)大產(chǎn)能的計(jì)劃，并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的工藝技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字： 美光  DDR5  DRAM  

SK海力士：DDR5內(nèi)存2020年推出，起步5200MHz

  • 近日，SK海力士負(fù)責(zé)人在接受采訪時(shí)表示，準(zhǔn)備在2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條，頻率起步5200MHz，另外DDR6內(nèi)存也開(kāi)始策劃了，將在5~6年內(nèi)研發(fā)。
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  DDR5  

SK海力士首發(fā)標(biāo)準(zhǔn)DDR5內(nèi)存

  • 　　SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5?！　?jù)介紹，新內(nèi)存采用SK海力士自家的1Ynm工藝制造，電壓是標(biāo)準(zhǔn)的1.1V，相比于DDR4 1.2V可節(jié)省30%的功耗，同時(shí)工作頻率高達(dá)5200MHz，相比于DDR4 3200MHz快了足有60%，帶寬也高達(dá)41.6GB/s，可以每秒傳輸11部全高清電影。SK海力士計(jì)劃2020年起量產(chǎn)這款新型DDR5內(nèi)存顆粒?！　∈姓{(diào)機(jī)構(gòu)IDC的數(shù)據(jù)顯示，DDR5內(nèi)存需求將在20
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  DDR5  

DDR5內(nèi)存芯片：美光在2019新策略

  • 　　隨著科技的發(fā)展，DIY行業(yè)又一次迎來(lái)了春天，各類產(chǎn)品層出不窮，而美光成為內(nèi)存的老牌廠商，為無(wú)數(shù)玩家提供縱橫游戲的尖端裝備，近日，內(nèi)部有消息稱，美光已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品，并計(jì)劃在2019年底量產(chǎn)?！　∽鳛镈DR4內(nèi)存的繼任者，DDR5內(nèi)存在性能上自然要高出DDR4一大截。近日，美光正式公布了DDR5內(nèi)存的詳細(xì)規(guī)格?！　拿拦夤嫉奈募?lái)看，DDR5內(nèi)存將從8GB容量起步，最高可達(dá)單條32GB，I/O帶寬能達(dá)到3.2-6.4Gbps，同時(shí)電壓1.1V，內(nèi)存帶寬將為DDR4內(nèi)存的兩倍?！　?/li>
  • 關(guān)鍵字： DDR5  美光  
共98條 6/7 |‹ « 1 2 3 4 5 6 7 »
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473