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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3d內(nèi)存

美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

  • 　　美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensional stacking)。 　　美光計(jì)劃使用特殊設(shè)計(jì)的主從DRAM芯片(die)，其中只有主die才與外界內(nèi)存控制器發(fā)生聯(lián)系，從die只是輔助芯片，同時(shí)還會(huì)用上優(yōu)化的DRAM die、每堆棧單個(gè)DLL、減少主動(dòng)邏輯電路、共享的單個(gè)外部I/O
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3d內(nèi)存介紹

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