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瑞薩科技開發(fā)用于45納米節(jié)點及以上工藝芯片晶體管技術

• 瑞薩科技開發(fā)用于45納米節(jié)點及以上工藝芯片的高性能、低成本晶體管技術 --可以經濟地生產帶有采用金屬（P型）和多晶硅（N型）柵極混合結構的CMIS晶體管 而不必對現(xiàn)有的制造工藝進行重要改變— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，開發(fā)出一種可用于45nm（納米）節(jié)點及以上工藝微處理器和SoC（系統(tǒng)級芯片）產品的高性能和低成本晶體管技術。新開發(fā)的技術包括采用P型晶體管金屬柵極，以及N型晶體管傳統(tǒng)多晶硅柵極的混合結構的高性能CMIS*1晶體管。它可以在不
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