首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 4d閃存

SK海力士宣布業(yè)內(nèi)首款4D閃存

  • 　　正在美舉辦的Flash Memory Summit首日已經(jīng)結(jié)束，亮點頗多。　　Keynote環(huán)節(jié)，倒數(shù)第二個出場(排在我國的長江存儲前)的是SK海力士，它在NAND市場的全球份額排名第五，DRAM份額全球第二?！　∈紫仁?D NAND的技術(shù)路線選擇，SK海力士稱，CTF(Charge Trap Flash，電荷捕獲型)比Floating Gate(浮柵型)存儲單元面積更小、速度更快、更耐用(P/E次數(shù)多)?！　∑鋵嵢菑?013年的第一代V-NAND 3D閃存就開始使用CTF了，東芝/西數(shù)(閃迪)的B
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  4D閃存  
共1條 1/1 1

4d閃存介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條4d閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對4d閃存的理解，并與今后在此搜索4d閃存的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473